| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的基本性质及其应用 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO的本征点缺陷 | 第11-13页 |
| 1.3.1 氧空位 | 第11-12页 |
| 1.3.2 锌空位 | 第12-13页 |
| 1.3.3 锌间隙 | 第13页 |
| 1.4 ZnO的 n型掺杂和p型掺杂研究现状 | 第13-17页 |
| 1.4.1 ZnO的 n型掺杂研究现状 | 第14页 |
| 1.4.2 ZnO的 p型掺杂研究现状 | 第14-17页 |
| 1.5 论文的研究意义、研究内容及创新点 | 第17-19页 |
| 1.5.1 研究意义及研究内容 | 第17页 |
| 1.5.2 创新点 | 第17-19页 |
| 2 实验设备及表征技术 | 第19-26页 |
| 2.1 实验原理介绍 | 第19-22页 |
| 2.1.1 离子注入技术 | 第19-21页 |
| 2.1.2 退火处理 | 第21-22页 |
| 2.2 表征技术 | 第22-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第22页 |
| 2.2.2 Hall效应测试 | 第22-23页 |
| 2.2.3 Raman光谱测试 | 第23页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱测试 | 第23-24页 |
| 2.2.5 二次离子质谱测试 | 第24页 |
| 2.2.6 光致发光谱测试 | 第24-25页 |
| 2.2.7 电子顺磁共振测试 | 第25-26页 |
| 3 退火对未掺杂ZnO薄膜本征缺陷的影响 | 第26-32页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 退火对未掺杂ZnO薄膜电学特性的影响 | 第26-27页 |
| 3.3 退火对未掺杂ZnO薄膜结构特性的影响 | 第27-28页 |
| 3.4 未掺杂ZnO薄膜背景电子浓度来源研究 | 第28-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 N离子注入ZnO薄膜的p型转变机制研究 | 第32-43页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 不同注入剂量的N离子在ZnO薄膜中的深度分布 | 第32-33页 |
| 4.3 N离子注入剂量对ZnO薄膜结构的影响 | 第33-34页 |
| 4.4 退火温度对N掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响 | 第34-41页 |
| 4.4.1 N掺杂ZnO薄膜的电学特性 | 第35-36页 |
| 4.4.2 N掺杂ZnO薄膜的Raman特性 | 第36-37页 |
| 4.4.3 N掺杂ZnO薄膜的元素成分分析 | 第37-39页 |
| 4.4.4 N掺杂ZnO薄膜的光学特性 | 第39-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 5 退火对N掺杂ZnO单晶的结构及光学特性的影响 | 第43-50页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 退火对N掺杂ZnO单晶的Raman特性的影响 | 第43-44页 |
| 5.3 退火对N掺杂ZnO单晶的元素成分的影响 | 第44-46页 |
| 5.4 退火前后N离子在ZnO单晶中的深度分布 | 第46-47页 |
| 5.5 退火对N掺杂ZnO单晶的光学特性的影响 | 第47-49页 |
| 5.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 6 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 主要结论 | 第50-51页 |
| 6.2 后续工作及展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 附录 | 第61-63页 |
| A作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |
| B作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第61页 |
| C作者在攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第61-62页 |
| D学位论文数据集 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
