| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·稀磁半导体的基本概念 | 第10-13页 |
| ·稀磁半导体定义 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体的基本性质 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体磁性的理论解释 | 第12-13页 |
| ·ZnO基稀磁半导体 | 第13-15页 |
| ·ZnO半导体的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO作为稀磁半导体基体的优良性质 | 第14-15页 |
| ·国内外在稀磁半导体方向的研究进展 | 第15-16页 |
| ·研究目的和意义 | 第16-17页 |
| ·本文所做工作 | 第17-18页 |
| 第2章 实验原理和特性检测技术 | 第18-25页 |
| ·薄膜制备的实验原理和实验装置 | 第18-20页 |
| ·脉冲激光沉积技术实验原理 | 第18-20页 |
| ·实验装置 | 第20页 |
| ·样品制备的前期准备工作 | 第20-22页 |
| ·靶材制备 | 第20-21页 |
| ·基片的处理和清洗 | 第21-22页 |
| ·样品特征分析检测技术 | 第22-25页 |
| 第3章 ZnO薄膜的制备及结构特性研究 | 第25-33页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜质量的影响 | 第25-27页 |
| ·实验条件 | 第25页 |
| ·薄膜的X射线衍射(XRD)和表面形貌(AFM)分析 | 第25-27页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第27页 |
| ·氧气压强对ZnO薄膜质量的影响 | 第27-30页 |
| ·实验条件 | 第28页 |
| ·薄膜的X射线衍射(XRD)和表面形貌(AFM)分析 | 第28-29页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第29-30页 |
| ·衬底对ZnO薄膜质量的影响 | 第30-31页 |
| ·实验条件 | 第30页 |
| ·薄膜的X射线衍射(XRD)分析与讨论 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 Ni掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究 | 第33-40页 |
| ·不同掺杂浓度下ZnO:Ni薄膜的实验条件 | 第33页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Ni薄膜特性的影响 | 第33-38页 |
| ·薄膜的X射线衍射分析(XRD) | 第33-35页 |
| ·薄膜的表面形貌分析(SEM) | 第35页 |
| ·薄膜的紫外-可见透射光谱分析(UV-VIS) | 第35-36页 |
| ·薄膜的磁性分析(M-H曲线) | 第36-37页 |
| ·薄膜的电学性质分析 | 第37-38页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 Mn掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究 | 第40-48页 |
| ·不同掺杂浓度下ZnO:Mn薄膜的实验条件 | 第40页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Mn薄膜特性的影响 | 第40-46页 |
| ·薄膜的X射线衍射分析(XRD) | 第40-41页 |
| ·薄膜的紫外-可见透射光谱分析(UV-VIS) | 第41-42页 |
| ·薄膜的磁性分析(M-H曲线) | 第42页 |
| ·薄膜的Raman光谱分析 | 第42-46页 |
| ·实验结果的分析和讨论 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 结束语 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55页 |