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位线漏电流对高速SRAM设计的影响与对应消除技术

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第1章 绪论第10-16页
   ·研究背景第10-11页
   ·越米越大的漏电流对SRAM读操作的影响第11-13页
   ·国内外对消除漏电流影响的研究现状第13-14页
   ·本论文的主要工作第14-15页
   ·本论文的整体架构第15-16页
第2章 传统补偿电路存在的局限以及新的位线漏电流补偿电路的设计第16-31页
   ·传统补偿电路的局限性建模分析第16-19页
   ·所提出的新的位线漏电流补偿电路Ⅰ第19-24页
   ·所提出的新的位线漏电流补偿电路Ⅱ第24-29页
   ·对位线漏电流补偿电路Ⅱ的进一步改进第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第3章 与位线漏电流补偿电路相结合的电流型SA的设计第31-40页
   ·与位线漏电流补偿电路相结合的新型SA的提出第31-33页
   ·与位线漏电流补偿电路相结合的新型SA的工作原理分析第33-36页
   ·对应的仿真验证第36-39页
   ·本章小结第39-40页
第4章 漏电流降低技术的应用与相应的优化设计第40-47页
   ·漏电流降低技术的应用第40-42页
   ·漏电流降低技术的优化设计第42-46页
   ·本章小结第46-47页
第5章 位线自截断技术及其相应的优化设计第47-56页
   ·位线自截断技术的提出第47-49页
   ·位线自截断技术的优化设计第49-53页
   ·对应的仿真验证第53-55页
   ·本章小结第55-56页
第6章 位线取反放大技术及其优化设计第56-68页
   ·位线取反放大技术的提出第56-59页
   ·位线取反放大技术的具体工作原理第59-62页
   ·位线取反放大技术的优化设计第62-66页
   ·本章小结第66-68页
第7章 结论与展望第68-69页
参考文献第69-72页
致谢第72-73页
攻读硕士期间发表的论文与成果第73页

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