| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·FLASH MEMORY发展历史及应用市场 | 第10-12页 |
| ·浮栅闪存发展瓶颈 | 第12-14页 |
| ·分立电荷俘获型存储器研究现状及趋势 | 第14-16页 |
| ·本文的主要工作及架构 | 第16-18页 |
| 第2章 浮栅闪存及分立电荷俘获型存储器结构原理及性能 | 第18-30页 |
| ·浮栅闪存结构 | 第18-19页 |
| ·浮栅闪存存储原理及性能指标 | 第19-24页 |
| ·分立电荷俘获型存储器结构 | 第24-26页 |
| ·分立电荷俘获型存储器原理及性能分析 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 纳米晶存储器结构及性能模拟研究 | 第30-38页 |
| ·纳米晶存储器器件模拟的关键 | 第30-31页 |
| ·纳米晶存储器器件结构模拟 | 第31-33页 |
| ·纳米晶存储器器件性能模拟 | 第33-36页 |
| ·本章总结 | 第36-38页 |
| 第4章 电荷陷阱存储器中俘获层材料的模拟研究 | 第38-56页 |
| ·电荷陷阱存储器中俘获层材料的晶胞结构 | 第39-44页 |
| ·电荷陷阱存储器中材料能带对其性能的影响 | 第44-48页 |
| ·不同的能带补偿,来选择不同的材料 | 第44-47页 |
| ·根据能带补偿来确定同种材料的不同陷阱 | 第47-48页 |
| ·电荷陷阱存储器中材料态密度对其性能的反映 | 第48-54页 |
| ·本章总结 | 第54-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-59页 |
| ·总结 | 第56-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附图 | 第65-66页 |
| 附表 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第68页 |