致谢 | 第1-6页 |
中文摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-13页 |
1 绪论 | 第13-21页 |
·显示技术的平板化 | 第13-14页 |
·无机电致发光 | 第14-16页 |
·有机电致发光 | 第16-18页 |
·有机/无机复合电致发光 | 第18页 |
·器件的制备及重要参数的测量 | 第18-19页 |
·本论文的主要工作及创新点 | 第19-21页 |
2 固态阴极射线发光中光谱及强度的表征 | 第21-49页 |
·引言 | 第21页 |
·SiO_2、ZnO及ZnS一次特性与二次特性的比较及应用 | 第21-31页 |
·一次特性与二次特性的比较 | 第21-24页 |
·一次特性在有机场致发光中的应用 | 第24-29页 |
·二次特性在场致发光中的应用 | 第29-31页 |
·无机场致发光的分层优化 | 第29-30页 |
·固态阴极射线发光的发现及证实 | 第30-31页 |
·固态阴极射线发光的光谱特性 | 第31-38页 |
·固态阴极射线发光的动力学研究 | 第38-45页 |
·固态阴极射线发光的发展前景 | 第45-47页 |
·小结 | 第47-49页 |
3 固态阴极射线发光中发光弛豫时间及初电子源的改进 | 第49-99页 |
·引言 | 第49页 |
·利用固态阴极射线发光提高发光性能 | 第49-58页 |
·单重态与三重态发光的研究 | 第49-57页 |
·频域内单重态与三重态发光的研究 | 第49-53页 |
·单重态与三重态激子形成截面的研究 | 第53-57页 |
·固态阴极射线发光提高发光性能的可能性 | 第57-58页 |
·阱结构对固态阴极射线发光中弛豫时间的改进 | 第58-81页 |
·有机阱结构光电特性的研究 | 第58-74页 |
·光激发下的能量转移 | 第58-65页 |
·光激发下光谱蓝移的研究 | 第65-68页 |
·电场调制下激子碎灭的研究 | 第68-72页 |
·电激发下的特性研究 | 第72-74页 |
·阱结构对固态阴极射线发光中弛豫时间的抑制 | 第74-81页 |
·利用ZnO纳米棒阴极阵列改进初电子源 | 第81-96页 |
·阴极阵列的制备及表征 | 第81-84页 |
·阴极阵列的场发射性能的测试 | 第84-87页 |
·阴极阵列对初电子源的提高 | 第87-89页 |
·阴极阵列在有机场致发光中的应用 | 第89-96页 |
·小结 | 第96-99页 |
4 载流子迁移率测量的新方法探索 | 第99-109页 |
·引言 | 第99页 |
·载流子迁移率的测量 | 第99-108页 |
·飞行时间方法测量载流子迁移率 | 第99-102页 |
·频域内测量载流子迁移率的电致发光方法的探索 | 第102-104页 |
·利用交流阻抗方法测载流子的迁移率 | 第104-108页 |
·小结 | 第108-109页 |
5 结论 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-131页 |
作者简历 | 第131-136页 |
学位论文数据集 | 第136页 |