Ir/Si3N4/Si(100)薄膜的生长、表征和微加工研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第1章 引言 | 第7-17页 |
·金属铱的研究背景 | 第7-9页 |
·铱薄膜 | 第9-17页 |
·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第9-11页 |
·物理气相沉积(PVD) | 第11-12页 |
·离子束辅助电子束蒸发 | 第12-15页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第15-16页 |
·磁控溅射 | 第16-17页 |
第2章 实验 | 第17-36页 |
·磁控溅射沉积金属铱薄膜 | 第17-20页 |
·薄膜生长的模式 | 第17-18页 |
·磁控溅射的原理和设备介绍 | 第18-20页 |
·薄膜表面的表征(原子力显微镜) | 第20-24页 |
·结构表征 | 第24-32页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第24-29页 |
·透射电镜测试分析(TEM) | 第29-32页 |
·电性能 | 第32-36页 |
第3章 结果和讨论 | 第36-45页 |
·铱膜的沉积和图案的微加工 | 第36-38页 |
·表面分析(原子力显微镜) | 第38-39页 |
·结构表征 | 第39-43页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第39-41页 |
·透射电子显微镜分析(TEM) | 第41-43页 |
·电阻率测量 | 第43-45页 |
第4章 结论 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-49页 |
致谢 | 第49-50页 |
附录 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第50页 |