| 第一章 绪论 | 第1-36页 |
| ·电介质材料 | 第13-16页 |
| ·电介质材料 | 第13-14页 |
| ·铁电体材料 | 第14-16页 |
| ·电介质薄膜 | 第16页 |
| ·微薄介质材料研究背景 | 第16-24页 |
| ·微波频段及应用 | 第16-18页 |
| ·微波介质谐振器 | 第18页 |
| ·微波介质材料的选择标准 | 第18-21页 |
| ·微波介质材料的研究历史及发展 | 第21-23页 |
| ·影响微波介质材料性能的因素 | 第23-24页 |
| ·移相器 | 第24-29页 |
| ·相控阵天线及其工作原理 | 第25-26页 |
| ·铁电移相器 | 第26-27页 |
| ·铁电移相器的工作原理 | 第27-28页 |
| ·铁电移相器的材料选择标准 | 第28-29页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3材料 | 第29-31页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3概述 | 第29-30页 |
| ·顺电相BST 材料的选择 | 第30-31页 |
| ·影响可调性能的因素 | 第31页 |
| ·本论文工作的内容、目的及意义 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第二章 薄膜制备工艺、微结构表征和电学性质测试 | 第36-52页 |
| ·磁控溅射以及系统简介 | 第37-40页 |
| ·溅射原理 | 第37-38页 |
| ·直流溅射与射频溅射 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射 | 第39页 |
| ·磁控溅射设备系统简介 | 第39-40页 |
| ·激光脉冲沉积以及系统简介 | 第40-42页 |
| ·PLD 制膜原理 | 第40-41页 |
| ·PLD 设备系统简介 | 第41页 |
| ·PLD 用陶瓷靶材的制备 | 第41-42页 |
| ·电极的制备 | 第42-47页 |
| ·电容器结构的选择 | 第42-44页 |
| ·电极的制备 | 第44-47页 |
| ·薄膜微结构表征方法 | 第47-48页 |
| ·薄膜的电学性能测试方法 | 第48-51页 |
| ·介电常数的测量 | 第48-49页 |
| ·可调率的测量 | 第49页 |
| ·介电损耗的测量 | 第49-50页 |
| ·介电温度谱 | 第50页 |
| ·电流－电压特性 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 溅射法制备(Ba,Sr)TiO_3薄膜的电学性能 | 第52-78页 |
| ·溅射法制备BST 薄膜的工艺参数 | 第52-60页 |
| ·沉积气压的影响 | 第52-58页 |
| ·沉积温度的影响 | 第58-60页 |
| ·溅射功率的影响 | 第60页 |
| ·后退火处理对BST薄膜的影响 | 第60-64页 |
| ·快速热处理退火与传统扩散炉退火的比较 | 第60-62页 |
| ·后退火气氛的影响 | 第62-63页 |
| ·退火时间的影响 | 第63-64页 |
| ·BST 薄膜的主要介电性能 | 第64-70页 |
| ·电容－电压关系分析 | 第64-66页 |
| ·介电可调率 | 第66-68页 |
| ·介电常数与可调率的频率谱 | 第68-69页 |
| ·介电常数与可调率的温度谱 | 第69-70页 |
| ·上电极面积对电学性能的影响 | 第70-72页 |
| ·薄膜厚度的影响 | 第72-75页 |
| ·晶格常数 | 第73页 |
| ·居里温度 | 第73-74页 |
| ·介电常数与介电可调率 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 (Ba,Sr)TiO_3薄膜可调性能的优化 | 第78-106页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3双层膜的可调性增强 | 第78-89页 |
| ·BST 双层结构的制备 | 第79-80页 |
| ·双层结构的结构取向 | 第80-81页 |
| ·双层结构的电学性能增强 | 第81-87页 |
| ·制备工艺对双层膜介电性能的影响 | 第87-88页 |
| ·后退火处理对双层膜介电性能的影响 | 第88-89页 |
| ·结论 | 第89页 |
| ·Pb 掺杂对BST 薄膜可调性能的影响 | 第89-98页 |
| ·BPST 薄膜的制备 | 第90-92页 |
| ·BPST 薄膜的介电性能 | 第92-98页 |
| ·结论 | 第98页 |
| ·退火处理过程中外加电场对BST薄膜可调性能的影响 | 第98-104页 |
| ·BST 薄膜的制备及电退火处理 | 第99页 |
| ·电退火对BST 薄膜介电性能的影响 | 第99-103页 |
| ·结论 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第五章 Ba_(6-3x)Nd_(8+2x)Ti_(18)O_(54)薄膜的介电性能研究 | 第106-124页 |
| ·Ba_(6-3x)Nd_(8+2x)Ti_(18)O_(54)的研究背景 | 第106-108页 |
| ·天线共用器 | 第106页 |
| ·BNT 的晶体结构 | 第106-107页 |
| ·BNT 的介电性能 | 第107-108页 |
| ·BNT 薄膜的制备 | 第108-109页 |
| ·BNT 陶瓷靶材的制备 | 第108页 |
| ·BNT 薄膜的制备 | 第108-109页 |
| ·BNT 薄膜微结构 | 第109-112页 |
| ·BNT 薄膜的热稳定性研究 | 第109-110页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第110-112页 |
| ·BNT 薄膜介电性能研究 | 第112-121页 |
| ·介电常数 | 第112-113页 |
| ·电容－温度关系 | 第113-114页 |
| ·电容－电压关系 | 第114-115页 |
| ·电容－电压关系的频率色散 | 第115-118页 |
| ·漏电特性 | 第118-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-124页 |
| 第六章 结论和展望 | 第124-126页 |
| ·结论 | 第124-125页 |
| ·今后工作的展望 | 第125-126页 |
| Publication List | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128页 |
