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集成电路超深亚微米互连效应与物理设计研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 引言第9-11页
 1.1 选题背景第9页
 1.2 课题提出第9-10页
 1.3 论文的内容安排第10-11页
第二章 关于集成电路超深亚微米层次下的信号完整性第11-23页
 2.1 信号完整性的主要影响因素第11-12页
 2.2 影响信号完整性的互连效应第12-17页
 2.3 抑制互连效应的可行性方案第17-23页
第三章 关于集成电路超深亚微米层次下的物理设计第23-52页
 3.1 集成电路物理设计方法研究第23-24页
 3.2 物理设计的主要流程及相关研究第24-52页
  3.2.1 物理设计的主要流程第24-25页
  3.2.2 物理设计的相关研究第25-52页
   3.2.2.1 布图规划第25-30页
   3.2.2.2 布局布线第30-37页
   3.2.2.3 高性能的时钟布线方法第37-43页
   3.2.2.4 电源分析和设计方法第43-45页
   3.2.2.5 参数提取与时序验证第45-50页
   3.2.2.6 版图验证第50-52页
第四章 集成电路超深亚微米物理设计研究实例第52-64页
 4.1 设计数据准备及输入第53-54页
 4.2 布图规划第54-57页
 4.3 布局第57-59页
 4.4 时钟树综合与测试链优化第59-60页
 4.5 布线第60-62页
 4.6 可制造性优化与版图验证第62页
 4.7 设计分析第62-64页
第五章 结束语第64-65页
参考文献第65-68页
致谢第68-69页
攻读学位期间发表的学术论文第69-70页
学位论文评阅及答辩情况表第70页

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