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脉冲激光与半导体材料HgCdTe和GaAs相互作用研究

中文摘要第1-7页
英文摘要第7-10页
第一章 引言第10-18页
   ·激光与物质相互作用在实际中的应用第10-12页
   ·激光与物质相互作用的研究背景第12-14页
   ·半导体材料HgCdTe 和GaAs 的研究意义及研究进展第14-16页
   ·本论文的主要内容及安排第16-18页
第二章 激光表面损伤的实验观察和理论分析第18-32页
   ·实验装置和实验方法第18-19页
   ·激光烧蚀材料的表面形貌观察第19-25页
     ·改变激光功率密度和脉冲个数时的材料表面烧蚀第19-23页
     ·背景气压对表面烧蚀的影响第23-25页
   ·材料表面周期性结构的物理解释第25-32页
第三章 激光气化和烧蚀引起的力学效应第32-44页
   ·靶蒸气的气体动力学运动第32-36页
   ·激光维持的爆轰波(LSD)第36-37页
   ·激光照射HgCdTe表面气体动力学参数的计算第37-41页
   ·蒸发对表面产生的压力作用第41-44页
第四章 激光等离子体特性研究第44-62页
   ·实验装置和实验方法第44-46页
   ·GaAs 等离子体特性分析第46-54页
     ·GaAs 等离子体演化谱观察第46-51页
     ·GaAs 等离子体飞行时间谱观察与分析第51-54页
   ·HgCdTe 等离子体特性分析第54-62页
     ·HgCdTe 等离子体演化谱观察第54-57页
     ·HgCdTe 等离子体发射谱展宽机制分析第57-60页
     ·电子密度的演化规律第60-62页
第五章 结论第62-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士学位期间完成的论文第68-69页
致谢第69页

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