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高能电子加速器辐射场研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第1章 引言第7-12页
   ·选题意义以及工作背景第7-10页
   ·课题的主要研究内容和目标第10-12页
第2章 高能电子加速器辐射场的理论分析第12-18页
   ·电磁簇射第13-14页
   ·光核反应第14-15页
   ·光中子第15-18页
第3章 高能电子加速器辐射场的模拟计算第18-28页
   ·Monte Carlo 程序FLUKA第18页
   ·模拟使用的参数及条件第18-19页
   ·永久磁铁所处辐射场的模拟第19-28页
     ·各种粒子在整个空间中的几何分布第19-22页
     ·磁铁处的粒子能谱和空间分布第22-28页
第4章 高能电子加速器辐射场的实验测量第28-48页
   ·辐射损伤监测器(RDM)介绍第28-34页
     ·RDM 外观及结构第28-31页
     ·RADFET 结构及工作原理第31-32页
     ·PIN 二极管结构及工作原理第32-34页
   ·RDM 特性研究及灵敏度刻度第34-43页
     ·RDM 的温度特性第34-35页
     ·RDM 的能量和角度响应第35页
     ·RADFET 的灵敏度刻度第35-39页
     ·PIN 二极管的灵敏度刻度第39-43页
   ·高能电子加速器中相关辐射量测量第43-48页
     ·间接测量方法第43-44页
     ·RDM 测量实验第44-45页
     ·实验结果第45-48页
第5章 结论第48-49页
参考文献第49-51页
致谢第51-52页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第52页

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