| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 有机半导体简介 | 第10-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 有机半导体的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 有机半导体的导电机制 | 第12-20页 |
| 1.3.1 碳原子的杂化 | 第12-14页 |
| 1.3.2 派尔斯不稳性 | 第14-15页 |
| 1.3.3 安德森局域化 | 第15-16页 |
| 1.3.4 跳跃电导理论 | 第16-20页 |
| 1.3.4.1 定程跳跃电导 | 第18-19页 |
| 1.3.4.2 变程跳跃电导 | 第19-20页 |
| 1.4 有机半导体的输运模型 | 第20-21页 |
| 1.5 有机小分子的制备及电输运性质的研究进展 | 第21-24页 |
| 1.5.1 有机小分子的常用制备方式 | 第21-23页 |
| 1.5.1.1 气相Bridgman法 | 第21-22页 |
| 1.5.1.2 物理气相传输法 | 第22-23页 |
| 1.5.2 有机小分子的研究进展 | 第23-24页 |
| 1.6 导电高分子聚合物进展 | 第24页 |
| 1.6.1 常见的导电高分子材料研究进展 | 第24页 |
| 1.6.2 聚丁二炔的研究进展 | 第24页 |
| 1.7 本章小结 | 第24-25页 |
| 第2章 有机场效应晶体管 | 第25-30页 |
| 2.1 有机场效应晶体管简介 | 第25页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的结构 | 第25-26页 |
| 2.3 有机场效应晶体管的基本参数 | 第26-29页 |
| 2.3.1 输出与转移特性曲线 | 第26-28页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第28页 |
| 2.3.3 场效应迁移率 | 第28-29页 |
| 2.3.4 电流开关比 | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 红荧烯的生长及其电输运性质的测量 | 第30-40页 |
| 3.1 红荧烯单晶的生长 | 第30-36页 |
| 3.2 红荧烯场效应晶体管的制备及测试 | 第36-39页 |
| 3.2.1 红荧烯场效应晶体管的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 红荧烯场效应晶体管的测试 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 聚丁二炔晶体PIDA的制备及电学性质的研究 | 第40-53页 |
| 4.1 实验设备的介绍 | 第40-42页 |
| 4.1.1 低温探针台 | 第40页 |
| 4.1.2 综合物性测量系统 | 第40-41页 |
| 4.1.3 扫描电子显微镜 | 第41-42页 |
| 4.2 PIDA的制备及其电学性能 | 第42-48页 |
| 4.2.1 PIDA的制备 | 第42-44页 |
| 4.2.2 PIDA电学性能 | 第44-48页 |
| 4.2.2.1 PDA材料导电率概述 | 第44页 |
| 4.2.2.2 PIDA不同温度处理电导率的变化 | 第44-48页 |
| 4.3 低温电输运测量 | 第48-50页 |
| 4.4 PIDA对哌啶的电学响应 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 可溶解聚丁二炔PC10-COOH的制备及其应用 | 第53-69页 |
| 5.1 实验方法及仪器介绍 | 第53-56页 |
| 5.1.1 半导体薄膜的制备及形貌表征 | 第53-54页 |
| 5.1.1.1 旋涂仪 | 第53-54页 |
| 5.1.1.2 原子力显微镜 | 第54页 |
| 5.1.2 微加工技术 | 第54-56页 |
| 5.1.2.1 刻蚀 | 第54-56页 |
| 5.1.2.2 金属电极的蒸镀 | 第56页 |
| 5.2 材料PC10-COOH的介绍 | 第56-58页 |
| 5.2.1 聚丁二炔的场效应晶体管介绍 | 第56-58页 |
| 5.2.2 PC10-COOH的制备 | 第58页 |
| 5.3 薄膜的制备与表征 | 第58-68页 |
| 5.3.1 薄膜的制备 | 第58-61页 |
| 5.3.2 薄膜的表征 | 第61-62页 |
| 5.3.3 器件性能的测试 | 第62-68页 |
| 5.3.3.1 滴注技术制备薄膜 | 第62-64页 |
| 5.3.3.2 旋涂法制备薄膜 | 第64-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第6章 全文总结 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |