激光照排技术光栅光阀设计和制作
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·课题背景 | 第7-9页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第9-10页 |
| ·微机电系统技术概述 | 第10-13页 |
| ·光学微机电系统 | 第13页 |
| ·主要研究目的 | 第13-14页 |
| ·主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 光栅光阀工作原理介绍及结构简化 | 第15-20页 |
| ·GLV光学原理 | 第15-17页 |
| ·GLV光调制原理 | 第15-17页 |
| ·GLV成像原理 | 第17页 |
| ·GLV机电原理 | 第17-18页 |
| ·简化GLV模型 | 第18-20页 |
| 第三章 光栅光阀工艺研究 | 第20-42页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第20-22页 |
| ·化学气相沉积 | 第20-21页 |
| ·常压热化学气相沉积(APCVD)法 | 第21页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD)法 | 第21-22页 |
| ·快热化学气相沉积(RTCVD)法 | 第22页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第22页 |
| ·光刻 | 第22-23页 |
| ·光刻胶 | 第23-27页 |
| ·光刻胶的物理特性 | 第24-26页 |
| ·传统的I线光刻胶 | 第26-27页 |
| ·光刻工艺基本步骤 | 第27-40页 |
| ·基片清洗 | 第27-28页 |
| ·脱水烘焙 | 第28页 |
| ·硅片成底膜 | 第28-29页 |
| ·旋转涂胶 | 第29-33页 |
| ·前烘 | 第33-34页 |
| ·对准曝光 | 第34-37页 |
| ·曝光后烘 | 第37-38页 |
| ·显影 | 第38-39页 |
| ·坚膜后烘 | 第39-40页 |
| ·图形检查 | 第40页 |
| ·刻蚀 | 第40-42页 |
| 第四章 光栅光阀的仿真 | 第42-48页 |
| ·有限元方法简介 | 第42-44页 |
| ·ANSYS耦合场分析介绍 | 第44-45页 |
| ·GLV的有限元分析 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第五章 光栅光阀的制作 | 第48-69页 |
| ·光刻胶变形分析及改善措施 | 第48-56页 |
| ·试验技术条件及结果 | 第48-52页 |
| ·光刻胶变形原因分析 | 第52-53页 |
| ·烘焙模型 | 第53-56页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·光刻胶附着性能分析 | 第56-62页 |
| ·基片表面自由能 | 第56-57页 |
| ·表面润湿性 | 第57-58页 |
| ·应力对光刻胶附着性能的影响 | 第58-59页 |
| ·应力测量 | 第59-61页 |
| ·退火对湿法刻蚀的影响 | 第61页 |
| ·应力分布仿真 | 第61-62页 |
| ·结论 | 第62页 |
| ·异丙醇对单晶硅刻蚀的影响 | 第62-65页 |
| ·KOH腐蚀原理 | 第63页 |
| ·单晶硅的各向异性腐蚀 | 第63-64页 |
| ·异丙醇对硅表面粗糙度的影响 | 第64-65页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·悬臂梁材料选择 | 第65-67页 |
| ·氮化硅的热稳定性 | 第65页 |
| ·氮化硅的硬度 | 第65-66页 |
| ·氮化硅力学性能 | 第66-67页 |
| ·GLV的制作步骤 | 第67-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-70页 |
| ·总结 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 硕士期间发表论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
