| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-12页 |
| 目录 | 第12-14页 |
| 第一章 选题背景和意义 | 第14-22页 |
| ·宽禁带半导体 | 第14-17页 |
| ·自旋电子学 | 第17-18页 |
| ·Ga_2O_3的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本论文选题的目的、意义及研究内容 | 第19-22页 |
| 第二章 计算方法 | 第22-42页 |
| ·固体能带理论 | 第22-23页 |
| ·第一性原理与密度泛函理论 | 第23-31页 |
| ·电子自旋 | 第31-36页 |
| ·软件介绍 | 第36-42页 |
| 第三章 单斜晶系结构β-Ga_2O_3的计算及分析 | 第42-48页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·物理模型与计算方法 | 第42-43页 |
| ·计算结果和讨论 | 第43-46页 |
| ·不同交换关联势下α-Ga_2O_3和β-Ga_2O_3总能量比较 | 第46-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第四章 过渡金属Ti、V、Cr、Fe、Mn、Ni和Co掺杂β-Ga_2O_3的计算及分析 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·物理模型与计算方法 | 第48-49页 |
| ·计算结果和讨论 | 第49-58页 |
| ·结论 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 硕士期间发表论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |