| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 第一节 GaN材料的基本性质和研究进展 | 第11-17页 |
| 第二节 Tb材料的基本性质、应用和研究进展 | 第17-19页 |
| 第三节 GaN纳米结构的生长方法 | 第19-23页 |
| 第四节 本论文的选题依据 | 第23-25页 |
| 第二章 实验设备和测试表征方法 | 第25-31页 |
| 第一节 实验设备介绍 | 第25-27页 |
| 第二节 样品的测试和表征技术 | 第27-31页 |
| 第三章 磁控溅射GaO/Tb薄膜制备一维GaN纳米结构的研究 | 第31-50页 |
| 第一节 一维GaN纳米结构的制备 | 第31-32页 |
| 第二节 氨化温度对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第32-43页 |
| 第三节 氨化时间对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第43-45页 |
| 第四节 中间层厚度对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第45-46页 |
| 第五节 一维GaN纳米结构生长机制的探索 | 第46-50页 |
| 第四章 结论 | 第50-52页 |
| ·本文的主要研究结果 | 第50-51页 |
| ·对今后工作的建议 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |