| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·MEMS概况 | 第7-9页 |
| ·MEMS的基本概念 | 第7页 |
| ·MEMS技术的基本特点 | 第7页 |
| ·MEMS的制造技术 | 第7-9页 |
| ·MEMS技术发展的趋势和展望 | 第9页 |
| ·应用于MEMS中的多孔硅概述 | 第9-12页 |
| ·多孔硅简介 | 第10页 |
| ·多孔硅的微观结构 | 第10-11页 |
| ·多孔硅技术在MEMS技术中的优势 | 第11页 |
| ·多孔硅的应用 | 第11-12页 |
| ·本论文研究的内容和目的 | 第12-13页 |
| 第二章 实验原理 | 第13-23页 |
| ·多孔硅的制备和形成机制 | 第13-16页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第13-15页 |
| ·多孔硅的形成机制模型 | 第15-16页 |
| ·金属和半导体的接触 | 第16-19页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第16-18页 |
| ·接触电势差 | 第18页 |
| ·金属和半导体的欧姆接触 | 第18-19页 |
| ·杂质半导体电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 | 第19-20页 |
| ·电阻率和杂质浓度的关系 | 第19-20页 |
| ·电阻率随温度的变化 | 第20页 |
| ·多孔硅发光机理 | 第20-21页 |
| ·荧光及红外分析手段 | 第21-23页 |
| ·荧光测量技术原理 | 第21页 |
| ·红外光谱测量技术原理 | 第21-23页 |
| 第三章 多孔硅的制备与特征参数研究 | 第23-30页 |
| ·多孔硅的制备 | 第23-25页 |
| ·制备装置介绍 | 第23-24页 |
| ·硅片清洗 | 第24页 |
| ·电化学腐蚀制备多孔硅 | 第24-25页 |
| ·多孔硅表面形貌观测 | 第25-26页 |
| ·多孔硅孔隙率与热导率的测量 | 第26-29页 |
| ·多孔硅孔隙率测量 | 第27页 |
| ·多孔硅热导率测量 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 多孔硅电学特性研究 | 第30-43页 |
| ·M/PS/Si（金属/多孔硅/硅）结构的I-V特性研究 | 第30-36页 |
| ·M/PS/Si（金属/多孔硅/硅）结构的制备 | 第30-31页 |
| ·样品测试与结果分析 | 第31-36页 |
| ·NO_2 气体中Pt/PS/Si结构的I-V特性研究 | 第36-39页 |
| ·样品测试 | 第36页 |
| ·结果分析 | 第36-39页 |
| ·多孔硅电阻温度特性研究 | 第39-42页 |
| ·样品制备 | 第39-40页 |
| ·样品测试与结果分析 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 多孔硅光学特性研究 | 第43-54页 |
| ·样品制备 | 第43-44页 |
| ·测试设备及方法介绍 | 第44页 |
| ·荧光的产生条件 | 第44-45页 |
| ·光谱连续可调性研究 | 第45-50页 |
| ·荧光波长与波长调制研究 | 第50-52页 |
| ·荧光强度研究 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·实验结论 | 第54-55页 |
| ·工作展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |