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基于RTD的通用逻辑单元设计及其应用

致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-10页
目次第10-12页
图目次第12-15页
表目次第15-16页
第1章 绪论第16-22页
   ·基于纳米电子器件电路设计的研究意义第16-17页
   ·本文的研究背景第17-19页
   ·本文研究内容第19-22页
第2章 共振隧穿二极管第22-33页
   ·共振隧穿二极管性质第22-23页
   ·RTD基本电路结构第23-27页
     ·单双稳态转换逻辑单元第23-24页
     ·RTD/HFET结构第24-26页
     ·RTD反相器第26-27页
   ·MOBILE四相时钟和电路级联方式第27-28页
   ·共振隧穿二极管的SPICE模型第28-32页
     ·RTD大信号直流模型第28-30页
     ·基于物理参数的RTD模型第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第3章 基于RTD器件的通用阈值逻辑门设计第33-61页
   ·阈值逻辑和谱技术第33-37页
     ·阈值逻辑第33-35页
     ·谱技术第35-37页
   ·阈值逻辑门的硬件实现方法第37-40页
     ·CMOS实现方式第37-39页
     ·电容实现方式第39-40页
     ·BiCMOS实现方式第40页
   ·特征阈值逻辑门设计第40-46页
     ·特征阈值函数第41-42页
     ·电路设计及仿真第42-46页
   ·通用阈值逻辑门设计第46-51页
     ·通用阈值逻辑门设计原理第46-48页
     ·电路改进第48-50页
     ·通用阈值逻辑门的特点第50-51页
   ·基于通用阈值逻辑门的函数综合算法第51-59页
   ·本章小结第59-61页
第4章 基于RTD器件的可编程逻辑门电路设计第61-75页
   ·RTD多功能电路第61-63页
     ·二输入RTD可编程电路第61-62页
     ·可编程逻辑器件第62-63页
   ·基于RTD的新型可编程逻辑门电路第63-66页
   ·基于RTD-PLG电路的函数综合算法研究第66-74页
     ·RTD-PLG电路功能分析第66-68页
     ·可编程逻辑门网络第68-74页
   ·本章小结第74-75页
第5章 基于RTD的全加器设计第75-90页
   ·CMOS一位全加器第75-77页
   ·新型8晶体管CMOS全加器设计第77-80页
     ·电路设计第77-78页
     ·仿真结果第78-80页
   ·RTD全加器设计第80-88页
     ·RTD全加器第80-83页
     ·新型RTD全加器设计第83-85页
     ·电路性能比较第85-87页
     ·行波进位加法器第87-88页
   ·本章小结第88-90页
第6章 三值RTD电路通用结构第90-109页
   ·多值单稳态-多稳态转换逻辑电路第90-92页
   ·三值RTD电路设计原理第92-97页
   ·三值RTD电路通用结构第97-104页
     ·基-2电路设计第97-99页
     ·基-0电路设计第99-100页
     ·基-1电路设计第100-101页
     ·通用结构设计第101-104页
   ·三值RTD电路设计第104-108页
   ·本章小结第108-109页
第7章 结论第109-112页
参考文献第112-122页
作者简历及在学期间所取得的科研成果第122页

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