基于RTD的通用逻辑单元设计及其应用
致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
目次 | 第10-12页 |
图目次 | 第12-15页 |
表目次 | 第15-16页 |
第1章 绪论 | 第16-22页 |
·基于纳米电子器件电路设计的研究意义 | 第16-17页 |
·本文的研究背景 | 第17-19页 |
·本文研究内容 | 第19-22页 |
第2章 共振隧穿二极管 | 第22-33页 |
·共振隧穿二极管性质 | 第22-23页 |
·RTD基本电路结构 | 第23-27页 |
·单双稳态转换逻辑单元 | 第23-24页 |
·RTD/HFET结构 | 第24-26页 |
·RTD反相器 | 第26-27页 |
·MOBILE四相时钟和电路级联方式 | 第27-28页 |
·共振隧穿二极管的SPICE模型 | 第28-32页 |
·RTD大信号直流模型 | 第28-30页 |
·基于物理参数的RTD模型 | 第30-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第3章 基于RTD器件的通用阈值逻辑门设计 | 第33-61页 |
·阈值逻辑和谱技术 | 第33-37页 |
·阈值逻辑 | 第33-35页 |
·谱技术 | 第35-37页 |
·阈值逻辑门的硬件实现方法 | 第37-40页 |
·CMOS实现方式 | 第37-39页 |
·电容实现方式 | 第39-40页 |
·BiCMOS实现方式 | 第40页 |
·特征阈值逻辑门设计 | 第40-46页 |
·特征阈值函数 | 第41-42页 |
·电路设计及仿真 | 第42-46页 |
·通用阈值逻辑门设计 | 第46-51页 |
·通用阈值逻辑门设计原理 | 第46-48页 |
·电路改进 | 第48-50页 |
·通用阈值逻辑门的特点 | 第50-51页 |
·基于通用阈值逻辑门的函数综合算法 | 第51-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第4章 基于RTD器件的可编程逻辑门电路设计 | 第61-75页 |
·RTD多功能电路 | 第61-63页 |
·二输入RTD可编程电路 | 第61-62页 |
·可编程逻辑器件 | 第62-63页 |
·基于RTD的新型可编程逻辑门电路 | 第63-66页 |
·基于RTD-PLG电路的函数综合算法研究 | 第66-74页 |
·RTD-PLG电路功能分析 | 第66-68页 |
·可编程逻辑门网络 | 第68-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
第5章 基于RTD的全加器设计 | 第75-90页 |
·CMOS一位全加器 | 第75-77页 |
·新型8晶体管CMOS全加器设计 | 第77-80页 |
·电路设计 | 第77-78页 |
·仿真结果 | 第78-80页 |
·RTD全加器设计 | 第80-88页 |
·RTD全加器 | 第80-83页 |
·新型RTD全加器设计 | 第83-85页 |
·电路性能比较 | 第85-87页 |
·行波进位加法器 | 第87-88页 |
·本章小结 | 第88-90页 |
第6章 三值RTD电路通用结构 | 第90-109页 |
·多值单稳态-多稳态转换逻辑电路 | 第90-92页 |
·三值RTD电路设计原理 | 第92-97页 |
·三值RTD电路通用结构 | 第97-104页 |
·基-2电路设计 | 第97-99页 |
·基-0电路设计 | 第99-100页 |
·基-1电路设计 | 第100-101页 |
·通用结构设计 | 第101-104页 |
·三值RTD电路设计 | 第104-108页 |
·本章小结 | 第108-109页 |
第7章 结论 | 第109-112页 |
参考文献 | 第112-122页 |
作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第122页 |