| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN、InN材料的性质 | 第9页 |
| 1.3 纳米材料的制备方法 | 第9-11页 |
| 1.4 GaN纳米线制备研究进展 | 第11-12页 |
| 1.5 纳米线生长机制 | 第12页 |
| 1.6 与GaN相关的纳米复合结构研究进展 | 第12-13页 |
| 1.7 本文选题依据及主要研究内容 | 第13-16页 |
| 2 InN包覆Ga N纳米线复合结构密度泛函理论研究 | 第16-28页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 基本理论 | 第16-19页 |
| 2.2.1 第一性原理(First Principle) | 第16-17页 |
| 2.2.2 密度泛函理论(DFT) | 第17-18页 |
| 2.2.3 交换关联能 | 第18-19页 |
| 2.3 VASP软件简介 | 第19页 |
| 2.4 计算方法和参数选择 | 第19页 |
| 2.5 InN包覆GaN纳米线复合结构模型构建 | 第19-21页 |
| 2.6 计算结果与讨论 | 第21-27页 |
| 2.6.1 能带结构 | 第21-22页 |
| 2.6.2 电子态密度 | 第22-24页 |
| 2.6.3 局域电荷密度 | 第24-26页 |
| 2.6.4 功函数 | 第26-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 InN包覆Ga N纳米线复合结构的制备及表征 | 第28-46页 |
| 3.1 实验原料 | 第28-29页 |
| 3.2 实验仪器及表征方法 | 第29-30页 |
| 3.3 Si衬底准备及Pt催化剂制备 | 第30-32页 |
| 3.4 GaN纳米线的制备 | 第32-33页 |
| 3.5 InN包覆GaN纳米线复合结构的制备 | 第33-44页 |
| 3.5.1 In源对制备InN包覆GaN纳米线复合结构的影响 | 第34-37页 |
| 3.5.2 温度对制备InN包覆Ga N纳米线复合结构的影响 | 第37页 |
| 3.5.3 InN包覆GaN纳米线复合结构的表征 | 第37-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 结论与展望 | 第46-48页 |
| 4.1 本文的主要结论 | 第46页 |
| 4.2 展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录一 | 第54-55页 |
| 附录二 | 第55页 |
