| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 GDP薄膜概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 GDP薄膜的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 GDP在ICF中的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 GDP薄膜的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2 GDP薄膜的制备 | 第13-18页 |
| 1.2.1 制备方法 | 第13页 |
| 1.2.2 等离子体源 | 第13-18页 |
| 1.3 等离子体与薄膜的相互作用 | 第18-21页 |
| 1.3.1 等离子体粒子的相互作用 | 第18-20页 |
| 1.3.2 等离子体与薄膜表面的相互作用 | 第20-21页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第21-22页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 等离子体的诊断与薄膜的制备 | 第23-29页 |
| 2.1 实验装置 | 第23-24页 |
| 2.2 等离子体诊断方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 Langmuir探针 | 第24-26页 |
| 2.2.2 四级质谱仪 | 第26-27页 |
| 2.3 薄膜表征方法 | 第27-28页 |
| 2.3.1 表面轮廓仪 | 第27-28页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外成像光谱仪 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 T_2B/H_2等离子体参数的空间分布规律 | 第29-42页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 T_2B/H_2等离子体参数的径向分布 | 第29-38页 |
| 3.2.1 正离子强度的径向分布研究 | 第29-31页 |
| 3.2.2 正离子相对密度的径向分布研究 | 第31-32页 |
| 3.2.3 正离子能量的径向分布研究 | 第32-34页 |
| 3.2.4 电子能量分布函数的径向分布研究 | 第34-35页 |
| 3.2.5 等离子体电势的径向分布研究 | 第35-36页 |
| 3.2.6 电子密度的径向分布研究 | 第36-37页 |
| 3.2.7 有效电子温度的径向分布研究 | 第37-38页 |
| 3.3 T_2B/H_2等离子体参数的轴向分布 | 第38-41页 |
| 3.3.1 正离子强度的轴向分布研究 | 第38-39页 |
| 3.3.2 正离子相对密度的轴向分布研究 | 第39-40页 |
| 3.3.3 正离子能量的轴向分布研究 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 空间位置对GDP薄膜的性能影响 | 第42-53页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 不同径向距离的GDP薄膜性能 | 第42-47页 |
| 4.2.1 径向距离对沉积速率的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.2 径向距离对表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.2.3 径向距离对化学结构的影响 | 第45-47页 |
| 4.3 不同轴向距离的GDP薄膜性能 | 第47-52页 |
| 4.3.1 轴向距离对沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.2 轴向距离对表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.3 轴向距离对化学结构的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 T_2B/H_2/TMS等离子体参数对Si-GDP薄膜性能的影响 | 第53-64页 |
| 5.1 引言 | 第53-54页 |
| 5.2 T_2B/H_2/TMS等离子体参数分析 | 第54-58页 |
| 5.2.1 T_2B/H_2/TMS离子密度的径向分布研究 | 第54-55页 |
| 5.2.2 T_2B/H_2/TMS相对离子密度的径向分布研究 | 第55-57页 |
| 5.2.3 T_2B/H_2/TMS离子能量的径向分布研究 | 第57-58页 |
| 5.3 Si-GDP薄膜的化学结构 | 第58-63页 |
| 5.3.1 Si-GDP薄膜的红外分析 | 第58-61页 |
| 5.3.2 Si-GDP薄膜的XPS分析 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 附录 | 第75-76页 |
