砷化镓为基的量子点浮栅型存储器保持特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 存储器现状 | 第9-11页 |
| 1.2 非易失性存储器简介 | 第11-12页 |
| 1.3 非易失性存储器的发展 | 第12-16页 |
| 1.4 砷化镓器件研究意义 | 第16-17页 |
| 1.5 本文主要工作及内容安排 | 第17-19页 |
| 2 量子点浮栅存储器工作原理 | 第19-25页 |
| 2.1 浮栅存储器工作机制 | 第19-20页 |
| 2.2 浮栅存储器常见输运机制 | 第20-23页 |
| 2.3 量子点浮栅存储器相关效应 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 单层量子点存储结构的保持特性研究 | 第25-35页 |
| 3.1 保持状态模型建立 | 第25-27页 |
| 3.2 模拟结果分析 | 第27-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 双层量子点存储结构的保持特性研究 | 第35-45页 |
| 4.1 模型建立 | 第35-42页 |
| 4.2 模拟结果分析 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 GaAs为基的Si量子点浮栅存储器的实验研究 | 第45-53页 |
| 5.1 实验方案 | 第45-46页 |
| 5.2 器件制备工艺 | 第46-49页 |
| 5.3 电学特性的测量 | 第49页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 6 总结与展望 | 第53-56页 |
| 6.1 总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
