| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 概论 | 第9-23页 |
| 1.1 巨磁电阻效应(GMR) | 第9-11页 |
| 1.2 存储器的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 自旋传输矩磁性随机存储器(STT-MRAM) | 第12-17页 |
| 1.4 垂直各向异性磁性隧道结的发展 | 第17-21页 |
| 1.5 本文研究的意义 | 第21-22页 |
| 1.6 本文研究目标和内容 | 第22-23页 |
| 2 微磁学 | 第23-29页 |
| 2.1 微磁学的发展 | 第23-24页 |
| 2.2 微磁学理论 | 第24-29页 |
| 3 垂直各向异性STT-MRAM信息存储机理研究 | 第29-43页 |
| 3.1 磁矩矢量进动 | 第29-32页 |
| 3.2 自旋矩对磁矩的影响 | 第32-37页 |
| 3.3 仿真模型和方法 | 第37-43页 |
| 4 垂直各向异性STT-MRAM信息存储仿真 | 第43-56页 |
| 4.1 电流密度J对自由层磁矩翻转的影响 | 第43-46页 |
| 4.2 饱和磁化强度对自由层磁矩翻转的影响 | 第46-48页 |
| 4.3 阻尼系数对自由层磁矩翻转的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 各向异性常数对自由层磁矩翻转影响 | 第50-52页 |
| 4.5 自由层厚度对其磁矩翻转的影响 | 第52-54页 |
| 4.6 面内与面外STT-MRAM信息存储仿真比较 | 第54-56页 |
| 5 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 工作展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |