首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--激光技术、微波激射技术论文--激光器论文

基于新型可饱和吸收体的被动调Q激光器研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 绪论第8-12页
    1.1 研究背景第8页
    1.2 国内外研究现状第8-10页
    1.3 研究目的及意义第10页
    1.4 论文结构安排第10-12页
第2章 可饱和吸收体理论第12-17页
    2.1 被动调Q技术第12-15页
        2.1.1 调Q技术第12-13页
        2.1.2 调Q激光器基本理论第13-15页
    2.2 可饱和吸收体原理第15-16页
    2.3 本章小结第16-17页
第3章 基于MoS_2的被动调Q锁模激光器第17-23页
    3.1 实验材料及仪器第17-18页
    3.2 MoS_2制备及表征第18-19页
        3.2.1 MoS_2制备第18页
        3.2.2 材料表征第18-19页
    3.3 MoS_2光学性质测试第19-20页
        3.3.1 MoS_2光学吸收性质测试第19页
        3.3.2 MoS_2可饱和吸收特性测试第19-20页
    3.4 基于MoS_2被动调Q实验研究第20-22页
        3.4.1 实验装置第20页
        3.4.2 实验结果分析与讨论第20-22页
    3.5 本章小结第22-23页
第4章 基于黑磷的被动调Q激光器第23-30页
    4.1 实验材料及仪器第23-24页
    4.2 黑磷制备及表征第24-25页
        4.2.1 黑磷的制备第24页
        4.2.2 材料表征第24-25页
    4.3 黑磷光学性质测试第25-26页
        4.3.1 黑磷光学吸收性质测试第25页
        4.3.2 黑磷可饱和吸收特性测试第25-26页
    4.4 基于黑磷被动调Q实验研究第26-28页
        4.4.1 实验装置第26-27页
        4.4.2 实验结果分析与讨论第27-28页
    4.5 本章小结第28-30页
第5章 基于Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S纳米棒的被动调Q激光器第30-37页
    5.1 实验材料及仪器第30-31页
    5.2 Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S纳米棒制备及表征第31-32页
        5.2.1 Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S纳米棒的制备第31-32页
        5.2.2 材料表征第32页
    5.3 Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S光学性质及瞬态吸收特性测试第32-34页
        5.3.1 Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S纳米棒光学吸收性质测试第32-33页
        5.3.2 Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S瞬态吸收特性测量第33-34页
    5.4 基于Cu_(2-x)Se@Cu_(2-x)S纳米棒被动调Q实验研究第34-36页
        5.4.1 实验装置第34-35页
        5.4.2 实验结果分析与讨论第35-36页
    5.5 本章小结第36-37页
第6章 结论第37-38页
参考文献第38-41页
发表论文及参与项目第41-42页
致谢第42页

论文共42页,点击 下载论文
上一篇:基于光栅相移效应的外腔激光器的无跳模调谐
下一篇:GaSb/InSb/InP红外探测器结构的MOCVD生长及红外特性研究