| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 引言 | 第12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 1.2 非制冷红外探测器 | 第14-16页 |
| 1.3 锑化物材料 | 第16-19页 |
| 1.3.1 材料基本性质 | 第16-17页 |
| 1.3.2 薄膜材料的制备 | 第17-19页 |
| 1.4 研究内容与创新点 | 第19-22页 |
| 第2章 探测器结构的仿真、制备与表征方法 | 第22-42页 |
| 引言 | 第22页 |
| 2.1 SilvacoTCAD半导体仿真工具 | 第22-30页 |
| 2.1.1 仿真器组件与功能 | 第22-25页 |
| 2.1.2 器件仿真流程 | 第25-30页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第30-35页 |
| 2.2.1 MOCVD基本原理 | 第31-33页 |
| 2.2.2 MCOVD生长系统 | 第33-35页 |
| 2.3 测试表征方法 | 第35-40页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第35-38页 |
| 2.3.2 金相显微系统 | 第38-39页 |
| 2.3.3 半导体分析议 | 第39-40页 |
| 小结 | 第40-42页 |
| 第3章 GaSb\InSb\InP探测器结构的仿真 | 第42-76页 |
| 引言 | 第42页 |
| 3.1 器件结构设计 | 第42-50页 |
| 3.1.1 PIN光电二极管的工作原理 | 第42-45页 |
| 3.1.2 探测器结构设计改进 | 第45-49页 |
| 3.1.3 掺杂浓度的确定 | 第49-50页 |
| 3.2 器件结构建模 | 第50-55页 |
| 3.2.1 器件模型定义 | 第51-53页 |
| 3.2.2 器件仿真逻辑 | 第53-55页 |
| 3.3 能带结构与载流子分布 | 第55-60页 |
| 3.3.1 能带结构 | 第55-57页 |
| 3.3.2 载流子分布 | 第57-60页 |
| 3.4 红外吸收特性 | 第60-64页 |
| 3.5 暗电流机制 | 第64-75页 |
| 3.5.1 探测器的噪声机制 | 第64-66页 |
| 3.5.2 俄歇复合 | 第66-70页 |
| 3.5.3 肖克莱-瑞德复合 | 第70-73页 |
| 3.5.4 器件暗电流 | 第73-75页 |
| 小结 | 第75-76页 |
| 第4章 GaSb/InSb/InP探测器结构的制备与表征分析 | 第76-96页 |
| 引言 | 第76页 |
| 4.1 外延层生长基本流程 | 第76-78页 |
| 4.2 InSb/InP外延层的生长特性研究 | 第78-86页 |
| 4.2.1 生长温度的影响 | 第78-81页 |
| 4.2.2 反应室压强的影响 | 第81-83页 |
| 4.2.3 气相Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第83-86页 |
| 4.3 GaSb/InSb外延层的生长特性研究 | 第86-91页 |
| 4.3.1 生长温度的影响 | 第86-88页 |
| 4.3.2 气相Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第88-91页 |
| 4.4 器件的暗电流测试 | 第91-94页 |
| 4.4.1 品质因子R0A | 第91-93页 |
| 4.4.2 测试结果 | 第93-94页 |
| 小结 | 第94-96页 |
| 第5章 结论 | 第96-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 作者简介及在学期间科研成果 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |