X-波段GaAs pHEMT单片功率放大器的研究与设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要内容及组织结构 | 第13-15页 |
| 第二章 工艺与器件建模 | 第15-27页 |
| 2.1 常见MMIC工艺 | 第15-16页 |
| 2.2 砷化镓基的管芯对比 | 第16-18页 |
| 2.3 pHEMT工艺 | 第18-22页 |
| 2.3.1 pHEMT器件特性 | 第18-19页 |
| 2.3.2 pHEMT器件模型 | 第19-21页 |
| 2.3.3 pHEMT器件版图 | 第21-22页 |
| 2.4 MMIC无源器件 | 第22-26页 |
| 2.4.1 微带线 | 第22-23页 |
| 2.4.2 电感 | 第23页 |
| 2.4.3 电容 | 第23-24页 |
| 2.4.4 电阻 | 第24-25页 |
| 2.4.5 通孔、金丝和键合压点 | 第25-26页 |
| 2.5 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 功率放大器基础理论 | 第27-33页 |
| 3.1 双端口网络理论 | 第27-28页 |
| 3.2 功率放大器的技术指标 | 第28-31页 |
| 3.2.1 增益(Gain)和增益平坦度(ΔG) | 第28-29页 |
| 3.2.2 饱和输出功率和1dB压缩点 | 第29-30页 |
| 3.2.3 效率 | 第30页 |
| 3.2.4 线性度 | 第30页 |
| 3.2.5 稳定性 | 第30-31页 |
| 3.3 功率放大器的类型 | 第31-32页 |
| 3.4 小结 | 第32-33页 |
| 第四章 X波段单片功率放大器设计及实现 | 第33-62页 |
| 4.1 单片微波集成功率放大器设计指标 | 第33-34页 |
| 4.2 MMIC功放设计流程 | 第34-35页 |
| 4.3 总体设计电路 | 第35-36页 |
| 4.4 管芯尺寸的选择 | 第36-38页 |
| 4.5 直流偏置网络设计 | 第38-39页 |
| 4.6 匹配网络设计 | 第39-44页 |
| 4.6.1 Load-Pull技术 | 第39-40页 |
| 4.6.2 输出匹配网络设计 | 第40-42页 |
| 4.6.3 级间匹配网络设计 | 第42-43页 |
| 4.6.4 输入匹配网络设计 | 第43-44页 |
| 4.7 稳定性分析 | 第44-45页 |
| 4.8 电磁仿真 | 第45-46页 |
| 4.9 晶体管热分析 | 第46-53页 |
| 4.9.1 解析求解 | 第47-49页 |
| 4.9.2 数值计算 | 第49-53页 |
| 4.10 整体电路实现 | 第53-56页 |
| 4.11 芯片测试及分析 | 第56-61页 |
| 4.11.1 测试方法 | 第57-58页 |
| 4.11.2 测试结果 | 第58-61页 |
| 4.12 小结 | 第61-62页 |
| 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
