首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--电子元件、组件论文--电声器件论文--扬声器论文

基于空时域的声反馈抑制算法研究及实现

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 引言第10-15页
    1.1 研究目的及意义第10页
    1.2 声反馈概述第10-11页
    1.3 声反馈抑制的研究历史与现状第11-14页
    1.4 论文的研究内容和安排第14-15页
第2章 声反馈抑制原理第15-25页
    2.1 声反馈信号的产生原因及其特性第15-17页
        2.1.1 扩声系统模型第15-17页
        2.1.2 声反馈模型第17页
    2.2 声反馈抑制技术方案第17-24页
        2.2.1 相位调制法第18页
        2.2.2 压限法第18-19页
        2.2.3 均衡器第19-20页
        2.2.4 陷波法第20-23页
        2.2.5 自适应声反馈抑制器第23-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第3章 时域自适应声反馈抑制算法的研究第25-50页
    3.1 自适应算法第25-33页
        3.1.1 自适应滤波的原理第25-27页
        3.1.2 LMS算法第27-30页
        3.1.3 NLMS算法第30-31页
        3.1.4 PNLMS算法第31-32页
        3.1.5 MPNLMS算法第32-33页
    3.2 AFC的偏心估计第33-35页
        3.2.1 AFC偏心估计的来源第33-34页
        3.2.2 偏心估计的削弱方法第34-35页
    3.3 一种基于双麦克风模型的MPNLMS声反馈抑制算法第35-41页
        3.3.1 双麦克风声反馈抑制系统模型描述第35-38页
        3.3.2 基于双麦克风模型的MPNLMS声反馈抑制系统第38-41页
    3.4 对本文算法的仿真分析第41-49页
        3.4.1 实验条件及评价指标第41-42页
        3.4.2 对传统自适应算法的仿真分析第42-44页
        3.4.3 对TM-AFC-MPNLMS算法的仿真分析第44-49页
    3.5 本章小结第49-50页
第4章 空时域结合声反馈抑制算法的研究第50-62页
    4.1 空时域结合的声反馈抑制系统模型第50-51页
    4.2 麦克风阵列第51-54页
        4.2.1 均匀线阵第51-52页
        4.2.2 均匀圆阵第52-53页
        4.2.3 平面五元十字阵第53-54页
    4.3 声源定位第54-56页
        4.3.1 基于到达时延的声源定位第55页
        4.3.2 基于子空间的声源定位第55页
        4.3.3 基于可控波束形成的声源定位第55-56页
    4.4 波束形成第56-61页
        4.4.1 基于MVDR准则的自适应波束形成第56-59页
        4.4.2 宽带自适应波束形成第59-61页
    4.5 本章小结第61-62页
第5章 基于空时域的声反馈抑制系统设计及实验第62-78页
    5.1 DSP芯片选择及主要外围电路设计第62-68页
        5.1.1 DSP芯片第62-64页
        5.1.2 外部存储器接口(EMIFA)第64-65页
        5.1.3 Flash存储单元第65页
        5.1.4 随机存储模块第65-66页
        5.1.5 音频编解码模块第66-68页
    5.2 麦克风阵列及主要外围电路设计第68-70页
        5.2.1 麦克风阵列构型第68页
        5.2.2 麦克风阵列主控芯片第68-69页
        5.2.3 麦克风阵列电路设计第69-70页
    5.3 系统软件设计第70-72页
        5.3.1 系统处理时序第70-71页
        5.3.2 主程序流程第71-72页
    5.4 系统测试及结果分析第72-76页
        5.4.1 信号采集及分析方法第74-75页
        5.4.2 数据分析及结果第75-76页
    5.5 本章小结第76-78页
第6章 总结与展望第78-80页
    6.1 总结第78-79页
    6.2 展望第79-80页
参考文献第80-85页
致谢第85-86页
研究生期间参加的科研项目和取得的成果第86页

论文共86页,点击 下载论文
上一篇:1200V IGBT与SiC MOSFET驱动保护电路设计
下一篇:基于润湿性机制的陶瓷刀具激光表面改性