| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 引言 | 第17-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 Si表面的相关研究 | 第18-25页 |
| 1.3 失配位错的基本理论 | 第25-26页 |
| 1.4 研究内容及意义 | 第26-28页 |
| 第二章 扫描隧道显微镜(STM)原理与实验方法 | 第28-34页 |
| 2.1 STM的成像原理 | 第28-32页 |
| 2.2 实验方法 | 第32-34页 |
| 第三章 铟原子在Si(5 5 12)表面上的吸附 | 第34-56页 |
| 3.1 铟吸附在Si表面的相关研究 | 第34-35页 |
| 3.2 铟在Si(5 5 12)表面上的三种吸附方式 | 第35-49页 |
| 3.2.1 顶层吸附 | 第35-36页 |
| 3.2.2 表面原子混合 | 第36-40页 |
| 3.2.3 表面原子替换及周期性断点的产生 | 第40-49页 |
| 3.3 结构模型的提出与计算参数 | 第49-56页 |
| 3.3.1 结构模型的提出 | 第49-55页 |
| 3.3.2 计算参数 | 第55-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第66-67页 |