| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第12-13页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 光互联技术及集成收发模块研究现状 | 第16-23页 |
| 2.1 光互联技术的发展及应用场景 | 第16页 |
| 2.2 光收发模块发展及其现状 | 第16-17页 |
| 2.3 单片集成激光器与光探测器的结构特点与研究现状 | 第17-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第三章 VCSEL的理论基础 | 第23-36页 |
| 3.1 VCSEL的基本理论 | 第23-28页 |
| 3.1.1 垂直腔面发射激光器的器件结构 | 第23-25页 |
| 3.1.2 垂直腔面发射激光器性能参数分析 | 第25-28页 |
| 3.2 量子阱激光器 | 第28-30页 |
| 3.2.1 量子阱激光器的工作原理 | 第28-30页 |
| 3.2.2 量子阱激光器工作特性 | 第30页 |
| 3.3 DBR反射镜的设计 | 第30-33页 |
| 3.3.1 DBR反射率的计算 | 第31-32页 |
| 3.3.2 DBR的损耗 | 第32-33页 |
| 3.3.3 DBR的串联电阻 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第四章 基于垂直腔面发射激光器与谐振腔光探测器垂直集成结构的一体收发芯片 | 第36-79页 |
| 4.1 背景及应用场景 | 第36页 |
| 4.2 集成器件设计目标 | 第36-41页 |
| 4.3 集成器件结构 | 第41-43页 |
| 4.4 集成器件设计 | 第43-67页 |
| 4.4.1 激光器与光探测器间光学解耦方案及其原理 | 第43-66页 |
| 4.4.2 激光器与光探测器间电学隔离方案及其原理 | 第66-67页 |
| 4.5 仿真结果与讨论 | 第67-74页 |
| 4.5.1 垂直腔面发射激光器的仿真 | 第67-70页 |
| 4.5.2 器件的有源仿真 | 第70页 |
| 4.5.3 器件性能仿真结果 | 第70-72页 |
| 4.5.4 器件解耦性能分析 | 第72-74页 |
| 4.6 器件高频响应性能 | 第74-77页 |
| 4.7 本章总结 | 第77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 集成器件工艺设计及其实现 | 第79-92页 |
| 5.1 器件整体工艺流程设计 | 第79页 |
| 5.2 器件的工艺实现设计 | 第79-90页 |
| 5.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 5.4 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 关键工艺实现 | 第92-105页 |
| 6.1 SiO_2膜溅射 | 第92-93页 |
| 6.2 以光刻胶为掩膜的GAAS材料的ICP刻蚀 | 第93-97页 |
| 6.2.1 实验设计 | 第93-94页 |
| 6.2.2 实验结果及相关讨论 | 第94-97页 |
| 6.3 以二氧化硅为掩膜的GAAS材料ICP刻蚀 | 第97-98页 |
| 6.4 RIE刻蚀二氧化硅 | 第98-104页 |
| 6.4.1 实验 | 第99-104页 |
| 6.5 本章小结 | 第104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 总结与展望 | 第105-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第109页 |
