| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 CMOS 图像传感器概述 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外 CMOS 图像传感器发展动态分析 | 第12-19页 |
| 1.2.1 CMOS 图像传感器国际研究进展 | 第12-18页 |
| 1.2.2 CMOS 图像传感器国内研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3 小尺寸工艺下图像传感器关键技术进展分析 | 第19-22页 |
| 1.3.3 高信噪比 PPD 像素关键技术进展 | 第20-21页 |
| 1.3.4 传感器动态范围扩展关键技术进展 | 第21页 |
| 1.3.5 超大像素阵列的关键技术进展 | 第21-22页 |
| 1.4 论文的内容安排 | 第22-24页 |
| 第二章 四管像素满阱容量提升的研究 | 第24-45页 |
| 2.1 CIS 像素的发展历程 | 第24-37页 |
| 2.1.1 无源像素 | 第24-25页 |
| 2.1.2 有源像素 | 第25-33页 |
| 2.1.3 数字像素 | 第33-35页 |
| 2.1.4 新兴背照式像素结构 | 第35-36页 |
| 2.1.5 主流 CIS 像素结构的博弈 | 第36-37页 |
| 2.2 4T 有源像素满阱容量提升 | 第37-43页 |
| 2.2.1 像素满阱容量主要影响因素分析 | 第37-40页 |
| 2.2.2 防穿通注入 | 第40-42页 |
| 2.2.3 4T 有源像素满阱容量提升的测试结果 | 第42-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 基于实时暗电流校正和改进型 Retinex 算法的图像增强 | 第45-66页 |
| 3.1 概述 | 第45页 |
| 3.2 实时 CIS 暗电流校正方法 | 第45-56页 |
| 3.2.1 典型 4T CIS ADC 输出分量分析 | 第45-47页 |
| 3.2.2 CIS 实时暗电流消除方法 | 第47-51页 |
| 3.2.3 CIS 实时暗电流消除方法实现和测试 | 第51-56页 |
| 3.3 基于边缘检测的 Retinex 图像增强算法 | 第56-65页 |
| 3.3.1 Retinex 图像增强理论 | 第57-58页 |
| 3.3.2 色彩空间变换 | 第58-59页 |
| 3.3.3 基于边缘检测的图像增强算法 | 第59-63页 |
| 3.3.4 实验结果与分析 | 第63-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 滚筒式曝光 CIS 时序控制电路设计及优化 | 第66-86页 |
| 4.1 基于单斜 ADC 的 4T CIS 架构 | 第66-68页 |
| 4.2 时序控制电路的设计及优化 | 第68-71页 |
| 4.2.1 时序控制电路的主要功能 | 第68-69页 |
| 4.2.2 时序控制电路的优化 | 第69-71页 |
| 4.3 用于动态范围扩展的两次交叉曝光控制方法 | 第71-85页 |
| 4.3.1 CMOS 图像传感器动态范围的定义 | 第71-73页 |
| 4.3.2 传统扩展 CMOS 图像传感器动态范围的技术 | 第73-77页 |
| 4.3.3 两次交叉曝光控制方法 | 第77-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 总结及展望 | 第86-89页 |
| 5.1 总结 | 第86-87页 |
| 5.2 展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-99页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100页 |
