基于SiGe BiCMOS工艺的W波段谐波混频器芯片设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国外发展现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 国内发展现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要贡献和创新 | 第14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 工艺库及混频器基本原理介绍 | 第16-32页 |
| 2.1 MMIC技术 | 第16页 |
| 2.2 SiGe BiCMOS工艺简介 | 第16-20页 |
| 2.2.1 SiGe HBT | 第17-18页 |
| 2.2.2 电阻 | 第18-19页 |
| 2.2.3 MIM电容 | 第19-20页 |
| 2.3 MMIC设计基本流程 | 第20-21页 |
| 2.4 混频器基本原理 | 第21-23页 |
| 2.5 混频器的基本指标 | 第23-26页 |
| 2.5.1 转换增益 | 第23-24页 |
| 2.5.2 噪声 | 第24页 |
| 2.5.3 线性度 | 第24-25页 |
| 2.5.4 驻波比 | 第25页 |
| 2.5.5 端口间隔离度 | 第25-26页 |
| 2.6 混频器主要结构 | 第26-27页 |
| 2.7 双平衡有源混频器原理 | 第27-29页 |
| 2.8 谐波混频器的理论基础 | 第29-30页 |
| 2.9 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 带有倍频器的三次谐波混频器设计 | 第32-52页 |
| 3.1 混频器设计指标和拓扑结构 | 第32-33页 |
| 3.1.1 混频器设计指标 | 第32页 |
| 3.1.2 混频器拓扑结构 | 第32-33页 |
| 3.2 三倍频器设计 | 第33-37页 |
| 3.2.1 三倍频原理 | 第33-35页 |
| 3.2.2 三极管偏置电压 | 第35页 |
| 3.2.3 输入输出匹配 | 第35-37页 |
| 3.3 两级放大器设计 | 第37-39页 |
| 3.4 倍频部分整体设计 | 第39-40页 |
| 3.5 混频部分设计 | 第40-45页 |
| 3.5.1 W波段巴伦的设计与仿真 | 第40-44页 |
| 3.5.2 Gilbert混频单元设计 | 第44-45页 |
| 3.6 整体结构级联仿真 | 第45-47页 |
| 3.7 整体版图设计 | 第47-51页 |
| 3.8 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 双平衡三次谐波混频器设计 | 第52-63页 |
| 4.1 双平衡三次谐波混频器电路结构 | 第52-53页 |
| 4.2 偏置电路 | 第53-54页 |
| 4.3 Ka波段balun设计 | 第54-55页 |
| 4.4 双平衡三次谐波混频器原理图仿真 | 第55-57页 |
| 4.5 双平衡三次谐波混频器的版图设计 | 第57-59页 |
| 4.6 稳定性分析 | 第59-62页 |
| 4.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 测试结果与分析 | 第63-69页 |
| 5.1 测试方案 | 第63-65页 |
| 5.2 测试结果与分析 | 第65-68页 |
| 5.2.1 直流分析 | 第65页 |
| 5.2.2 变频损耗测试 | 第65-67页 |
| 5.2.3 隔离度测试 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 全文总结 | 第69页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第75页 |
