首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--红外技术及仪器论文--红外探测、红外探测器论文

MEMS微桥结构设计与光刻工艺参数优化

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 非制冷红外探测技术的背景及发展第10-12页
    1.2 基于微桥结构的非制冷红外探测器研究现状第12-14页
    1.3 微桥结构制备的MEMS制造技术第14页
    1.4 选题意义第14页
    1.5 论文结构第14-16页
第二章 基于氧化钒非制冷红外探测器的机理与性能分析第16-36页
    2.1 氧化钒非制冷红外探测器的工作原理第16-18页
    2.2 氧化钒非制冷红外探测器的性能研究第18-23页
        2.2.1 像元尺寸参数对红外探测阵列性能的影响第18-20页
        2.2.2 红外探测阵列的响应特性第20-22页
        2.2.3 红外探测阵列的噪声分析第22-23页
    2.3 传统红外探测器的微桥结构介绍第23-25页
    2.4 改进L型双悬臂梁微桥结构设计方案第25-28页
    2.5 热学性能仿真第28-33页
    2.6 力学性能仿真第33-35页
    2.7 本章小结第35-36页
第三章 微桥结构制备过程中的光刻工艺分析与优化第36-54页
    3.1 微桥结构制备过程中的光刻工艺现状分析第36-37页
    3.2 光刻工艺所用光刻机的对准系统研究第37-42页
        3.2.1 Nikon系列光刻机的对准机理第37-39页
        3.2.2 Nikon系列光刻机FIA与LSA两种对准方式的理论分析第39-42页
    3.3 微桥结构桥腿处电极光刻工艺与优化第42-46页
        3.3.1 Ti电极金属表面反射率对光刻机对准信号的影响第42-43页
        3.3.2 研究不同厚度光刻胶对干法刻蚀Ti金属后图形形貌的影响第43-46页
    3.4 微桥结构桥墩及修饰层光刻工艺与优化第46-52页
        3.4.1 FIA与LSA对准方式在NiCr材料下对对准精度的研究第47-48页
        3.4.2 不同涂胶工艺对NiCr湿法腐蚀边沿效应的影响第48-52页
    3.5 本章小结第52-54页
第四章 非制冷红外探测器微桥结构的制备工艺与检测第54-64页
    4.1 微桥结构制备的关键工艺介绍第54-56页
        4.1.1 PECVD第54页
        4.1.2 刻蚀第54-55页
        4.1.3 溅射第55-56页
        4.1.4 清洗第56页
    4.2 微桥结构的制备流程与性能检测第56-63页
    4.3 本章小结第63-64页
第五章 总结与展望第64-66页
    5.1 总结第64-65页
    5.2 展望第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:基于SiGe BiCMOS工艺的W波段谐波混频器芯片设计
下一篇:远寄生腔体带阻滤波器