摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-53页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 钯、铑催化的双齿配体引导的C-H活化概述 | 第13-20页 |
1.3 廉价金属催化的C-H活化官能团化概述 | 第20-50页 |
1.3.1 铜参与定位基团导向的C-H活化反应概述 | 第20-33页 |
1.3.2 过渡金属镍催化的C-H活化官能团化反应概述 | 第33-40页 |
1.3.3 过渡金属钴催化的C-H活化官能团化反应概述 | 第40-45页 |
1.3.4 过渡金属铁催化双齿配体导向的C-H活化官能团化反应概述 | 第45-50页 |
1.4 自由基参与的邻位C-H活化官能团化反应 | 第50-51页 |
1.5 本课题选择的意义和内容 | 第51-53页 |
第2章 光催化、铜促进、8-氨基喹啉导向的苯甲酸衍生物邻位C-H活化全氟烷基化反应的研究 | 第53-85页 |
2.1 引言 | 第53-60页 |
2.1.1 基于自由基加成的三氟甲基化或全氟烷基化 | 第53-55页 |
2.1.2 过渡金属催化的偶联反应实现的三氟甲基化或全氟烷基化反应 | 第55-59页 |
2.1.3 经光催化产生全氟烷基或三氟甲基自由基参与的反应 | 第59-60页 |
2.1.4 光催化铜促进8-氨基喹啉导向的苯甲酸衍生物邻位C-H活化全氟烷基化 | 第60页 |
2.2 结果与讨论 | 第60-70页 |
2.2.1 反应条件的优化 | 第60-65页 |
2.2.2 底物的拓展 | 第65-68页 |
2.2.3 8-氨基喹啉导向基团的脱除反应 | 第68-69页 |
2.2.4 反应机理的研究 | 第69-70页 |
2.3 实验部分 | 第70-83页 |
2.3.1 仪器与试剂 | 第70-72页 |
2.3.2 原料的合成 | 第72页 |
2.3.3 苯甲酸衍生物邻位C-H活化全氟烷基化反应的条件 | 第72页 |
2.3.4 导向基团脱离反应的条件 | 第72-73页 |
2.3.5 产物的表征 | 第73-83页 |
2.4 小结 | 第83-85页 |
第3章 镍催化的8-氨基喹啉导向的苯甲酸衍生物邻位C-H活化甲基化反应的研究 | 第85-106页 |
3.1 引言 | 第85-90页 |
3.1.1 过渡金属催化的甲基化反应 | 第85-88页 |
3.1.2 过氧化物参与的甲基化反应 | 第88-89页 |
3.1.3 以DTBP为甲基来源的镍催化苯甲酸衍生物邻位C-H活化甲基化反应 | 第89-90页 |
3.2 结果与讨论 | 第90-97页 |
3.2.1 反应条件的优化 | 第90-92页 |
3.2.2 苯甲酸衍生物的底物拓展 | 第92-95页 |
3.2.3 导向基团5-氯8氨基喹啉的脱除 | 第95页 |
3.2.4 反应机理的研究 | 第95-97页 |
3.3 实验部分 | 第97-105页 |
3.3.1 仪器与试剂 | 第97-99页 |
3.3.2 原料的合成 | 第99页 |
3.3.3 苯甲酸衍生物邻位C-H活化甲基化反应的条件 | 第99页 |
3.3.4 导向基团离去反应的研究 | 第99-100页 |
3.3.5 产物的表征 | 第100-105页 |
3.4 小结 | 第105-106页 |
第4章 钴催化8-氨基喹啉导向的苯甲酸衍生物邻位C-H活化苄基化反应的研究 | 第106-137页 |
4.1 引言 | 第106-111页 |
4.1.1 过渡金属催化的取代苄基化合物参与的苄基化反应 | 第106-108页 |
4.1.2 过渡金属催化的甲苯类化合物参与的苄基化反应 | 第108-110页 |
4.1.3 钴催化的8-氨基喹啉导向的苯甲酸衍生物邻位C-H活化苄基化反应 | 第110-111页 |
4.2 结果与讨论 | 第111-119页 |
4.2.1 反应条件的优化 | 第111-113页 |
4.2.2 底物的拓展 | 第113-118页 |
4.2.3 双导向基团的脱除反应 | 第118页 |
4.2.4 反应机理的研究 | 第118-119页 |
4.3 实验部分 | 第119-136页 |
4.3.1 仪器与试剂 | 第119-121页 |
4.3.2 原料的合成 | 第121页 |
4.3.3 苯甲酸衍生物邻位C-H活化苄基化反应的条件 | 第121-122页 |
4.3.4 导向基团离去反应的研究 | 第122页 |
4.3.5 产物的表征 | 第122-136页 |
4.4 小结 | 第136-137页 |
结论 | 第137-139页 |
参考文献 | 第139-155页 |
附录A 部分化合物谱图 | 第155-215页 |
附录B 攻读学位期间发表的论文 | 第215-216页 |
致谢 | 第216页 |