| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅纳米线阵列的制备方法 | 第11-17页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法 | 第11-13页 |
| 1.2.2 反应离子刻蚀法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 金属辅助化学刻蚀法 | 第14-17页 |
| 1.3 硅纳米线阵列的物理性质 | 第17-19页 |
| 1.3.1 硅纳米线阵列的减反特性 | 第17-18页 |
| 1.3.2 硅纳米线的电子传输性能 | 第18页 |
| 1.3.3 硅纳米线的热电性能 | 第18-19页 |
| 1.4 硅纳米线阵列的太阳能转换应用 | 第19-23页 |
| 1.4.1 固态P-N结太阳能电池 | 第20页 |
| 1.4.2 光电化学太阳能电池 | 第20-22页 |
| 1.4.3 光解水制氢 | 第22-23页 |
| 1.5 本文研究意义及主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验方法及样品表征 | 第25-35页 |
| 2.1 实验方法 | 第25-31页 |
| 2.1.1 Si纳米线阵列的制备 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Si纳米线阵列光电极制备 | 第27-28页 |
| 2.1.3 纳米颗粒修饰及表面钝化 | 第28-29页 |
| 2.1.4 BiVO_4/Si双层结构制备 | 第29-31页 |
| 2.1.5 注意事项 | 第31页 |
| 2.2 样品表征 | 第31-35页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第31页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第31-32页 |
| 2.2.3 紫外-可见分光光度计（UV-Vis Spectrophotometer） | 第32页 |
| 2.2.4 少数载流子寿命测量 | 第32页 |
| 2.2.5 拉曼光谱分析(Raman spectroscopy) | 第32-33页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第33页 |
| 2.2.7 X射线衍射分析（XRD） | 第33页 |
| 2.2.8 Si纳米线阵列的光电化学响应测试 | 第33-35页 |
| 第三章 Si纳米线阵列的光电化学响应改性 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 Si纳米线阵列腐蚀形貌表征与分析 | 第36-37页 |
| 3.3 Si纳米线阵列修饰纳米颗粒的形貌表征与分析 | 第37-40页 |
| 3.4 AgNPS修饰的Si纳米线阵列光电化学响应的特性 | 第40-42页 |
| 3.5 TiO_2钝化Si纳米线阵列光电化学响应的特性 | 第42-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 BiVO_4/Si纳米线阵列双层电极光解水初探 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-51页 |
| 4.2 BiVO_4/Si纳米线阵列形貌分析与调控 | 第51-54页 |
| 4.3 材料表征与光电化学性能测试 | 第54-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-70页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
