摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-14页 |
·移相器的研究背景 | 第9-11页 |
·移相器的分类及发展现状 | 第10-11页 |
·MEMS 移相器的挑战和机遇 | 第11页 |
·MEMS 移相器的研究历史及现状 | 第11-12页 |
·本论文的选题和研究内容 | 第12-14页 |
第二章 MEMS 移相器的微观结构和特性 | 第14-20页 |
·MEMS 移相器的分类 | 第14-18页 |
·开关线型MEMS 移相器结构 | 第14-15页 |
·反射线型MEMS 移相器结构 | 第15-16页 |
·高低通型移相器结构 | 第16-17页 |
·分布式MEMS 移相器结构 | 第17-18页 |
·MEMS 移相器性能分析 | 第18-19页 |
·线型MEMS 移相器性能分析 | 第18页 |
·分布式MEMS 移相器性能分析 | 第18-19页 |
·本章总结 | 第19-20页 |
第三章 X 波段MEMS 分布式移相器性能分析和设计 | 第20-47页 |
·分布式移相器理论基础及工作原理 | 第20-22页 |
·微波传输线理论和移相器理论基础 | 第20-21页 |
·MEMS 分布式移相器工作原理 | 第21-22页 |
·分布式移相器的主要参数 | 第22-34页 |
·布拉格频率 | 第23-25页 |
·Bragg 频率的基本概念 | 第23-24页 |
·Bragg 频率的计算 | 第24-25页 |
·电容比率和相移量 | 第25-26页 |
·下拉电压 | 第26-31页 |
·下拉电压的计算 | 第26-28页 |
·移相器几何尺寸与下拉电压的关系 | 第28页 |
·支撑梁与下拉电压关系 | 第28-29页 |
·残余应力与下拉电压的关系 | 第29-31页 |
·MEMS 桥的选材及对下拉电压的影响 | 第31页 |
·衰减损耗 | 第31-34页 |
·分布式移相器传输线上损耗分析 | 第31-33页 |
·分布式移相器传输线衰减系数的计算 | 第33-34页 |
·MEMS 梁上损耗 | 第34页 |
·X 波段五位MEMS 分布式移相器设计及结构 | 第34-47页 |
·分布式移相器设计方法及步骤 | 第34-36页 |
·五位(5 bit)分布式移相器整体结构 | 第36-39页 |
·衬底和MEMS 桥材料的选择 | 第38-39页 |
·交直流隔离 | 第39页 |
·五位(5 bit)分布式移相器具体结构和参数 | 第39-47页 |
·共面波导 | 第42-43页 |
·驱动电极 | 第43页 |
·MAM 电容下电极数据 | 第43-44页 |
·信号线和驱动电极上的介质层 | 第44页 |
·MEMS 桥和MAM 电容上极板 | 第44-45页 |
·MEMS 桥和折叠梁 | 第45页 |
·匹配结构 | 第45-46页 |
·释放孔 | 第46-47页 |
第四章 MEMS 单元开关设计和机电性能分析 | 第47-59页 |
·下拉电压 | 第47-54页 |
·固定支撑梁 | 第47-51页 |
·刚度 | 第47-49页 |
·残余应力 | 第49-50页 |
·固支梁下拉电压计算及仿真 | 第50-51页 |
·弹性弯曲结构支撑梁 | 第51-54页 |
·开关时间 | 第54-57页 |
·闭合时间 | 第54-57页 |
·高品质因数MEMS 梁 | 第54-55页 |
·低品质因数MEMS 梁 | 第55页 |
·MEMS 单元开关闭合时间仿真及分析 | 第55-57页 |
·释放时间 | 第57页 |
·本章小结 | 第57-59页 |
第五章 五位MEMS 分布式移相器电磁性能分析 | 第59-67页 |
·0°/11.25°位仿真结果 | 第59-61页 |
·0°/22.5°位仿真结果 | 第61-63页 |
·0°/45°位仿真结果 | 第63-64页 |
·0°/90°位仿真结果 | 第64-65页 |
·0°/180°位仿真结果 | 第65-66页 |
·电磁参数误差分析 | 第66-67页 |
第六章 工艺加工 | 第67-70页 |
·材料选取 | 第67页 |
·工艺选择及流程 | 第67-70页 |
第七章 结论和展望 | 第70-72页 |
·本论文研究总结 | 第70页 |
·前景展望 | 第70-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-75页 |
在学期间的研究成果 | 第75-76页 |