| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第9-13页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义 | 第9-10页 |
| 1.2.2 气敏传感器的分类和指标 | 第10-12页 |
| 1.2.3 半导体气敏传感器 | 第12-13页 |
| 1.3 硅纳米线和氧化钨纳米线发展概述 | 第13-14页 |
| 1.3.1 硅纳米线制备发展概述 | 第13页 |
| 1.3.2 氧化钨纳米线制备发展概述 | 第13-14页 |
| 1.3.3 硅纳米线/氧化钨纳米线气敏传感器的研究进展 | 第14页 |
| 1.4 本文的研究目标及研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 基础理论知识 | 第16-32页 |
| 2.1 硅纳米线的制备方法 | 第16-26页 |
| 2.1.1“自下而上”(bottom-up)的制备方法 | 第16-17页 |
| 2.1.2“自上而下”(top-down)的制备方法 | 第17-18页 |
| 2.1.3 金属催化腐蚀法 | 第18-24页 |
| 2.1.4 硅纳米线的气敏机理 | 第24-26页 |
| 2.2 氧化钨纳米线的制备方法和气敏机理 | 第26-29页 |
| 2.2.1 氧化钨纳米线的制备方法 | 第26-28页 |
| 2.2.2 氧化钨纳米线的气敏机理 | 第28-29页 |
| 2.3 微观结构和理化特性分析测试手段 | 第29-32页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第30页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD)分析技术 | 第30-32页 |
| 第3章 硅纳米线制备及其气敏性能研究 | 第32-49页 |
| 3.1 实验所需仪器介绍 | 第32-35页 |
| 3.1.1 提拉镀膜机 | 第32页 |
| 3.1.2 对靶磁控溅射镀膜机 | 第32-34页 |
| 3.1.3 气敏传感器的敏感性能测试系统 | 第34-35页 |
| 3.2 硅纳米线气敏传感器元件的制备流程 | 第35-39页 |
| 3.2.1 清洗硅片 | 第36页 |
| 3.2.2 排列纳米球 | 第36-37页 |
| 3.2.3 溅射模板 | 第37页 |
| 3.2.4 制备硅纳米线 | 第37-39页 |
| 3.3 H_2O_2浓度和刻蚀时间对硅纳米线的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 H_2O_2浓度对硅纳米线形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 刻蚀浓度对比表面积和气敏性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.3 刻蚀时间对硅纳米线形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.4 刻蚀时间对硅纳米线比表面积和灵敏度的影响 | 第44页 |
| 3.4 硅纳米线的气敏性能和机理 | 第44-48页 |
| 3.4.1 硅纳米线的气敏性能 | 第44-46页 |
| 3.4.2 硅纳米线的气敏机理 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 硅纳米线/氧化钨纳米线制备工艺及气敏性能的研究 | 第49-63页 |
| 4.1 硅纳米线氧化钨薄膜气敏传感器元件的制备流程 | 第49-51页 |
| 4.1.1 氧化钨薄膜的制备 | 第49-50页 |
| 4.1.2 管式炉生长氧化钨纳米线 | 第50页 |
| 4.1.3 后续退火处理 | 第50-51页 |
| 4.2 氧化钨纳米线制备工艺参数研究 | 第51-56页 |
| 4.2.1 热处理温度对氧化钨纳米线制备的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.2 反应气氛对纳米线的影响 | 第53-56页 |
| 4.3 硅纳米线/氧化钨复合气敏传感器NO2气敏性能研究 | 第56-62页 |
| 4.3.1 传感器对NO_2敏感性能研究 | 第56-59页 |
| 4.3.2 硅纳米线/氧化钨纳米线复合传感器气敏机理 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-66页 |
| 5.1 总结与讨论 | 第63-64页 |
| 5.2 工作展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
