| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 气体传感器的发展概况 | 第14-15页 |
| 1.2.1 气体传感器的分类及其原理 | 第14页 |
| 1.2.2 气体传感器发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.3 CMOS-MEMS 工艺 | 第15-16页 |
| 1.4 基于MEMS 技术的CMOS 气体传感器的国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本文的研究意义及主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 PT 基自振荡CO 传感机理分析 | 第19-26页 |
| 2.1 传感信号数学模型 | 第19-23页 |
| 2.1.1 Pt 基CO 气体振荡传感器检测的机理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 浓度－频率的关系的理论模型 | 第20-23页 |
| 2.2 模拟结果 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 微热盘的温度控制 | 第26-46页 |
| 3.1 器件结构 | 第26-28页 |
| 3.2 微热盘温度稳定性模拟——外界环境温度与加热电流的关系 | 第28-36页 |
| 3.2.1 数学模型建立 | 第28-30页 |
| 3.2.2 数值偏微分方程解 | 第30-32页 |
| 3.2.3 模拟结果 | 第32-36页 |
| 3.3 环境温度自适应控制电路 | 第36-42页 |
| 3.3.1 MOS 亚阈值区工作的基本原理 | 第36-37页 |
| 3.3.2 设计思路 | 第37-38页 |
| 3.3.3 参数计算 | 第38-42页 |
| 3.4 微热盘温度均匀性设计 | 第42-43页 |
| 3.5 微热盘加热功耗及其数学模型模拟结果验证 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SON-MOSFET 自热加热和温度测量 | 第46-56页 |
| 4.1 MOS 高温工作下的问题及解决方法 | 第46-49页 |
| 4.2 SON-MOS 加热器的工艺实现 | 第49-51页 |
| 4.3 MOS 加热器的温度检测 | 第51-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 CO 传感信号的检测方法及低频低噪声控制 | 第56-71页 |
| 5.1 CO 传感信号的检测方法 | 第56-63页 |
| 5.1.1 塞贝克原理 | 第56-57页 |
| 5.1.2 CMOS-MEMS 对塞贝克实现的常见几种形式 | 第57-58页 |
| 5.1.3 新型 MOS 型塞贝克浓度检测器设计 | 第58-59页 |
| 5.1.4 热隔离去除多晶硅所致阈值电压升高问题的解决 | 第59-63页 |
| 5.2 低频噪声 | 第63-70页 |
| 5.2.1 衬底/源正偏降低1/f 噪声理论分析 | 第65-68页 |
| 5.2.2 减薄栅氧化层来提高抗1/f 噪声的机理分析 | 第68-70页 |
| 5.2.3 低噪声MEMS 工艺实现 | 第70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 POST-CMOS 刻蚀AL 保护工艺及镀膜光刻工艺 | 第71-81页 |
| 6.1 腐蚀过程中金属A1 的保护 | 第71-72页 |
| 6.1.1 光刻胶光刻 | 第71-72页 |
| 6.1.2 Al 保护试验 | 第72页 |
| 6.2 敏感Pt 薄膜制备和光刻控制 | 第72-76页 |
| 6.2.1 镀膜工艺和工艺参数对气敏性能的影响 | 第73-74页 |
| 6.2.2 镀膜工艺对lift-off 光刻工艺的影响 | 第74-76页 |
| 6.2.3 试验步骤与试验参数 | 第76页 |
| 6.3 试验结果及敏感薄膜表征 | 第76-80页 |
| 6.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 7.1 总结 | 第81-82页 |
| 7.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第89页 |
