摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 电子封装 | 第11-14页 |
1.2.1 电子封装的定义 | 第11-12页 |
1.2.2 电子封装的技术层次 | 第12-13页 |
1.2.3 电子封装的发展趋势 | 第13-14页 |
1.3 电子封装材料 | 第14-17页 |
1.3.1 电子封装材料的发展概况 | 第14-15页 |
1.3.2 传统电子封装材料及其性能 | 第15-17页 |
1.3.3 新型电子封装材料及其性能 | 第17页 |
1.4 高硅铝合金轻质电子封装材料的概况 | 第17-19页 |
1.4.1 高硅铝合金的性能优势与应用 | 第17-18页 |
1.4.2 高硅铝合金轻质电子封装材料国内外研究现状 | 第18-19页 |
1.5 本论文研究内容 | 第19-21页 |
第2章 高硅铝合金轻质电子封装材料的成分组织与性能要求 | 第21-33页 |
2.1 高硅铝合金轻质电子封装材料的典型合金成分及性能特点 | 第21-23页 |
2.1.1 高硅铝合金轻质电子封装材料的典型合金成分 | 第21-22页 |
2.1.2 高硅铝合金轻质电子封装材料的性能特点 | 第22-23页 |
2.2 高硅铝合金轻质电子封装材料的使用性能指标 | 第23-29页 |
2.2.1 热膨胀性能 | 第23-25页 |
2.2.2 导热性能 | 第25-28页 |
2.2.3 力学性能 | 第28-29页 |
2.3 高硅铝合金轻质电子封装材料的微观组织结构 | 第29-31页 |
2.3.1 高硅铝合金复合材料的理想组织结构 | 第29-30页 |
2.3.2 高硅铝合金轻质电子封装材料的界面及界面反应 | 第30-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-33页 |
第3章 高硅铝合金轻质电子封装材料的制备工艺研究 | 第33-65页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 液态法工艺 | 第33-53页 |
3.2.1 变质铸造工艺 | 第33-38页 |
3.2.2 无压渗透工艺 | 第38-43页 |
3.2.3 机械搅拌工艺 | 第43-46页 |
3.2.4 铸锭包覆轧制工艺 | 第46-49页 |
3.2.5 喷射成形工艺 | 第49-53页 |
3.3 固态法工艺 | 第53-62页 |
3.3.1 高温空气氧化粉末制备工艺 | 第54-56页 |
3.3.2 高能球磨氧化粉末制备工艺 | 第56-58页 |
3.3.3 粉末冶金液相烧结法制备工艺 | 第58-62页 |
3.4 本章小结 | 第62-65页 |
第4章 高硅铝合金轻质电子封装材料样品微观组织与断裂方式分析 | 第65-70页 |
4.1 高硅铝合金轻质电子封装材料的样品来源 | 第65页 |
4.2 高硅铝合金轻质电子封装材料样品微观组织与断裂方式 | 第65-69页 |
4.2.1 金相分析 | 第65-66页 |
4.2.2 X射线物相分析 | 第66-67页 |
4.2.3 扫描电镜断口形貌分析 | 第67-69页 |
4.3 本章小结 | 第69-70页 |
第5章 结论 | 第70-73页 |
5.1 课题研究结论 | 第70-71页 |
5.2 课题展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-79页 |
致谢 | 第79页 |