| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 GaN材料研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN SBD研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 GaN SBD面临的问题 | 第14-15页 |
| 1.4 论文的组织架构 | 第15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-17页 |
| 第2章 AlGaN/GaN SBD材料特性及工作原理 | 第17-27页 |
| 2.1 AlGaN/GaN SBD材料特性 | 第17-21页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN SBD材料生长 | 第17-18页 |
| 2.1.2 2-DEG的形成 | 第18-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN SBD工作原理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN SBD基本结构 | 第21页 |
| 2.2.2 金半接触理论 | 第21-24页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN SBD工作原理 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 AlGaN/GaN SBD器件场板终端技术仿真与优化 | 第27-45页 |
| 3.1 Silvaco-ATLAS仿真平台 | 第27-28页 |
| 3.2 AlGaN/GaN SBD基本特性仿真 | 第28-35页 |
| 3.2.1 器件模型搭建 | 第28-30页 |
| 3.2.2 Al组分对器件特性的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.3 阴阳极间距对器件特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 肖特基场板终端结构研究 | 第35-39页 |
| 3.3.1 场板对器件击穿特性的优化 | 第35-38页 |
| 3.3.2 场板长度对器件击穿特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 场板结构下钝化层厚度对器件击穿特性的影响 | 第39-43页 |
| 3.4.1 钝化层厚度对单场板器件击穿特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 钝化层厚度对双场板器件击穿特性的影响 | 第40-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 圆环形AlGaN/GaN SBD制备及其热特性分析 | 第45-59页 |
| 4.1 AlGaN/GaN SBD制备 | 第45-50页 |
| 4.1.1 材料结构 | 第45页 |
| 4.1.2 器件版图设计 | 第45-46页 |
| 4.1.3 器件制备 | 第46-50页 |
| 4.2 AlGaN/GaN肖特基势垒二极管参数提取方法 | 第50-52页 |
| 4.2.1 I-V测试 | 第50-51页 |
| 4.2.2 C-V测试 | 第51-52页 |
| 4.3 AlGaN/GaN肖特基势垒二极管热特性分析 | 第52-57页 |
| 4.3.1 AlGaN/GaN SBD正向变温特性分析 | 第52-55页 |
| 4.3.2 AlGaN/GaN SBD变温漏电流及击穿电压分析 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 大电流AlGaN/GaN肖特基势垒二极管研究 | 第59-67页 |
| 5.1 器件结构设计及制备 | 第59-61页 |
| 5.1.1 器件版图设计 | 第59-60页 |
| 5.1.2 器件制备 | 第60-61页 |
| 5.2 插指器件电流-电压特性优化分析 | 第61-65页 |
| 5.2.1 欧姆电极加厚 | 第61-62页 |
| 5.2.2 引线键合 | 第62页 |
| 5.2.3 工作电流密度对比分析 | 第62-64页 |
| 5.2.4 不同插指数目的正向I-V特性分析 | 第64-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
