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真空微电子加速度传感器关键技术研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
1 绪论第10-24页
    1.1 研究背景第10页
    1.2 硅微加速度传感器概述第10-12页
    1.3 真空微电子传感器研究进展第12-21页
        1.3.1 真空微电子传感器概述第12-18页
        1.3.2 真空微电子加速度传感器的研究现状第18-21页
    1.4 存在的问题第21-22页
    1.5 研究目标和研究内容第22-23页
        1.5.1 研究目标第22页
        1.5.2 研究内容第22-23页
    1.6 小结第23-24页
2 真空微电子加速度传感器的相关理论第24-46页
    2.1 场致发射理论第24-33页
        2.1.1 功函数第24-27页
        2.1.2 F-N理论第27-28页
        2.1.3 阴极锥尖的电学特性第28-33页
    2.2 真空微电子加速度传感器的理论模型第33-40页
        2.2.1 真空微电子加速度传感器的结构及工作原理第33-34页
        2.2.2 真空微电子加速度传感器的理论模型第34-37页
        2.2.3 真空微电子加速度传感器的力学特性第37-39页
        2.2.4 静电吸合分析第39-40页
    2.3 真空微电子加速度传感器的性能指标分析第40-44页
        2.3.1 灵敏度第40-41页
        2.3.2 线性度第41-42页
        2.3.3 工作带宽第42页
        2.3.4 噪声分析第42-44页
        2.3.5 分辨率第44页
    2.4 小结第44-46页
3 真空微电子加速度传感器的结构设计与仿真分析第46-66页
    3.1 真空微电子加速度传感器的设计目标第46-47页
    3.2 真空微电子加速度传感器敏感结构设计第47-56页
        3.2.1 弹性梁第48-53页
        3.2.2 带锥尖阵列的敏感质量块第53页
        3.2.3 极板间距第53-55页
        3.2.4 过载保护结构第55-56页
    3.3 真空微电子加速度传感器敏感结构的有限元分析第56-62页
        3.3.1 静力学分析第56-58页
        3.3.2 模态分析第58-59页
        3.3.3 结构参数的优化及性能分析第59-62页
    3.4 圆片级真空封装结构设计第62-65页
    3.5 小结第65-66页
4 真空微电子加速度传感器关键加工工艺研究第66-96页
    4.1 锥尖阵列的制备第66-75页
        4.1.1 锥尖材料的选取第66-67页
        4.1.2 硅尖阵列的制备第67-74页
        4.1.3 复合金属薄膜的沉积第74-75页
    4.2 低温键合技术第75-87页
        4.2.1 阳极键合第75-79页
        4.2.2 Au/Si共晶键合第79-85页
        4.2.3 三层真空键合工艺探索第85-87页
    4.3 ICP刻蚀工艺第87-90页
        4.3.1 Footing效应和Lag效应的抑制第87-88页
        4.3.2 弹性梁结构释放第88-90页
    4.4 真空微电子加速度传感器的工艺流程及版图设计第90-94页
        4.4.1 工艺流程第90-92页
        4.4.2 版图设计第92-94页
    4.5 小结第94-96页
5 真空微电子加速度传感器的性能测试与分析第96-108页
    5.1 真空微电子加速度传感器的封装第96页
    5.2 真空微电子加速度传感器主要性能指标的测试与分析第96-106页
        5.2.1 发射电流特性第96-98页
        5.2.2 灵敏度与非线性第98-101页
        5.2.3 零偏稳定性第101-103页
        5.2.4 噪声特性第103-104页
        5.2.5 工作带宽第104-105页
        5.2.6 工作温度第105-106页
    5.3 小结第106-108页
6 结论与展望第108-110页
    6.1 论文工作总结第108-109页
    6.2 主要创新点第109页
    6.3 后续研究工作展望第109-110页
致谢第110-112页
参考文献第112-120页
附录第120页
    A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录第120页
    B. 作者在攻读学位期间申报专利情况第120页

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