| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 稀磁半导体的研究概况 | 第10-13页 |
| 1.1.1 稀磁半导体的概况 | 第10-11页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的铁磁性起源 | 第11-13页 |
| 1.2 In_2O_3基稀磁半导体 | 第13-20页 |
| 1.2.1 In_2O_3的结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 In_2O_3基稀磁半导体的研究现状及存在的问题 | 第14-20页 |
| 1.3 本论文的研究目的与研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第22-31页 |
| 2.1 薄膜制备方法概述 | 第22-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射法介绍 | 第22-23页 |
| 2.1.2 制备In_2O_3薄膜的实验设备 | 第23-24页 |
| 2.1.3 制备In_2O_3薄膜的实验材料和制备过程 | 第24-25页 |
| 2.2 表征方法 | 第25-30页 |
| 2.2.1 表面形貌测试仪(台阶仪) | 第25页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第25-26页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM） | 第26页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱（XPS） | 第26-27页 |
| 2.2.5 X射线吸收精细结构（X-ray Absorption Fine structure, XAFS） | 第27-28页 |
| 2.2.6 电输运性能的测量 | 第28-29页 |
| 2.2.7 磁学性能的测量 | 第29页 |
| 2.2.8 光学性能的测量 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 (In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜的制备、结构与性能 | 第31-53页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验过程 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-51页 |
| 3.3.0 (In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜的XRD分析 | 第32-33页 |
| 3.3.1 (In_(0.85)Co_(0.1)Mg_(0.03))_2O_3薄膜的TEM分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 (In_(0.93)Co_(0.04)Mg_(0.03))_2O_3薄膜的价态分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Co的掺杂含量对(In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜局域结构的影响 | 第35-43页 |
| 3.3.4 Co的掺杂含量对(In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜磁学性质的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.5 Co的掺杂含量对(In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜输运性能的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.6 Co的掺杂含量对(In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.7 Co掺杂含量变化的共掺杂In_2O_3薄膜磁电阻特性分析 | 第48-51页 |
| 3.4 Co掺杂含量变化的(In_(0.97-x)Co_xMg_(0.03))_2O_3薄膜磁性来源 | 第51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 (In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜的制备、结构与性能 | 第53-67页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 实验过程 | 第53页 |
| 4.3 测试结果与讨论 | 第53-65页 |
| 4.3.1 Mg的掺杂含量对(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜结构特征的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.2 Mg的掺杂含量对(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜元素Co的局域结构影响 | 第55-59页 |
| 4.3.3 Mg掺杂含量变化的(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜磁性能分析 | 第59-60页 |
| 4.3.4 Mg掺杂含量对(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜输运性能的影响 | 第60-63页 |
| 4.3.5 Mg掺杂含量对(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.6 Mg掺杂含量变化的(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜磁电阻特性分析 | 第64-65页 |
| 4.4 Mg掺杂含量变化的(In_(0.96-y)Co_(0.04)Mg_y)_2O_3薄膜磁性来源 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
