| 本论文创新点 | 第5-9页 |
| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 引言 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 MoS_2的晶体结构 | 第15-17页 |
| 1.2 MoS_2的机械性能 | 第17-22页 |
| 1.3 MoS_2的电子结构 | 第22-23页 |
| 1.4 MoS_2制备方法 | 第23-30页 |
| 1.4.1 自上而下的方法 | 第24-27页 |
| 1.4.2 自下而上的方法 | 第27-30页 |
| 第二章 水热法及材料的表征技术 | 第30-50页 |
| 2.1 水热法简介 | 第30-31页 |
| 2.2 材料的表征技术 | 第31-50页 |
| 2.2.1 材料的结构以及化学组分的表征技术 | 第32-48页 |
| 2.2.1.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第32-37页 |
| 2.2.1.2 X射线衍射(XRD) | 第37-39页 |
| 2.2.1.3 透射电子显微镜(TEM) | 第39-43页 |
| 2.2.1.4 拉曼光谱(RS) | 第43-47页 |
| 2.2.1.5 X-射线光电子能谱(XPS) | 第47-48页 |
| 2.2.2 材料器件结构电学性质表征技术 | 第48-50页 |
| 2.2.2.1 吉时利Keithley 4200半导体参数分析器 | 第49-50页 |
| 第三章 水热法制备MoS_2及低维MoS_2/rGO纳米复合材料 | 第50-73页 |
| 3.1 衬底预处理工艺 | 第50-51页 |
| 3.2 水热法制备MoS_2及低维MoS_2/rGO复合材料 | 第51-56页 |
| 3.2.1 水热法制备MoS_2 | 第51-52页 |
| 3.2.1.1 概述 | 第51页 |
| 3.2.1.2 水热法制备MoS_2过程 | 第51-52页 |
| 3.2.2 超声震荡辅助水热法制备低维MoS_2/rGO纳米复合材料 | 第52-56页 |
| 3.2.2.1 概述 | 第52-54页 |
| 3.2.2.2 赫默方法制备氧化石墨烯(GO) | 第54-55页 |
| 3.2.2.3 超声震荡辅助水热法制备MoS_2/rGO纳米复合材料 | 第55-56页 |
| 3.3 材料的晶体结构和成分表征 | 第56-57页 |
| 3.4 结果分析与讨论 | 第57-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-73页 |
| 第四章 MoS_2光导开关忆阻器 | 第73-89页 |
| 4.1 概述 | 第73-74页 |
| 4.2 制备Au/MoS_2/Au结构的光敏忆阻器 | 第74-75页 |
| 4.3 表征Au/MoS_2/Au结构光敏忆阻器的电学性质 | 第75-76页 |
| 4.4 结果分析与讨论 | 第76-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-89页 |
| 第五章 总结与展望 | 第89-92页 |
| 参考文献 | 第92-111页 |
| 攻博期间发表的科研成果 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
