| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·相变光存储 | 第9-16页 |
| ·光存储原理 | 第9-10页 |
| ·光存储材料 | 第10-12页 |
| ·光存储研究现状 | 第12-16页 |
| ·掺杂研究 | 第16-21页 |
| ·掺杂材料 | 第16页 |
| ·掺Sn研究进展 | 第16-19页 |
| ·掺杂原子对相变机制的影响 | 第19-21页 |
| ·论文研究目的及意义 | 第21-23页 |
| 第2章 实验方案设计 | 第23-28页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验过程 | 第23-24页 |
| ·实验样品制备 | 第24页 |
| ·实验系统 | 第24-25页 |
| ·实验设备 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 诱导Sn-Ge_2Sb_2Te_5晶化的结构和性能研究 | 第28-38页 |
| ·诱导Sn-Ge2Sb2Te5晶化的结构研究 | 第28-33页 |
| ·退火诱导Sn-GST晶化的XRD分析 | 第28-30页 |
| ·激光辐照Sn-GST材料晶化的XRD分析 | 第30-31页 |
| ·激光诱导Sn-GST晶化的拉曼研究 | 第31-33页 |
| ·诱导Sn-GST晶化的性能分析 | 第33-34页 |
| ·退火诱导Sn-GST晶化的反射率对比度分析 | 第33-34页 |
| ·激光辐照Sn-GST晶化的反射率对比度分析 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 诱导Sn-Ge_2Sb_2Te_5晶化的机理研究 | 第38-46页 |
| ·Sn-GST材料的差热分析 | 第38-41页 |
| ·不同掺Sn浓度的晶化温度的分析 | 第38-39页 |
| ·不同掺Sn浓度的相变活化能的计算研究 | 第39-41页 |
| ·激光诱导Sn-GST材料的晶化行为的研究 | 第41-45页 |
| ·同一激光能量辐照Sn-GST的晶化行为分析 | 第41-43页 |
| ·不同激光能量辐照Sn-GST的晶化研究 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士期间所发表的学术论文 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54页 |