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金属氧族化合物物性调控的第一性原理研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·有机发光二极管第9-11页
   ·透明导电氧化物及其表面修饰第11-13页
   ·金属氧化物薄膜在电致发光器件中的应用第13-14页
   ·过渡金属二硫属化合物第14-16页
   ·论文的选题与结构第16-17页
第二章 固体电子结构的第一性原理计算理论第17-27页
   ·多粒子薛定谔方程第17-18页
   ·Born-Oppenheimer近似第18页
   ·Hohenberg-Kohn定理第18-20页
   ·Kohn-Sham方程第20-21页
   ·局域密度近似和广义梯度近似第21-23页
   ·杂化泛函方法第23-27页
第三章 氧化铟锡表面功函数的调控机理第27-40页
   ·引言第27-29页
   ·计算模型及方法第29-32页
   ·Cl原子吸附对ITO表面功函数的修饰作用第32-37页
   ·F原子吸附与Cl原子吸附的对比第37-39页
   ·小结第39-40页
第四章 晶格形变及掺杂对MoO_3能带结构的修饰作用第40-55页
   ·引言第40-43页
   ·计算模型及方法第43-44页
   ·晶格形变对MoO_3能带结构的影响第44-49页
   ·电子掺杂对MoO_3的影响第49-53页
   ·小结第53-55页
第五章 过渡金属二硫属化物的磁性及调控第55-69页
   ·引言第55-58页
   ·MX_2的电子结构特性第58-61页
   ·直接带隙半半导体VS_2单层第61-63页
   ·应力作用下VS_2单层产生的相变第63-64页
   ·第五族MX_2单层材料的电子结构相第64-67页
   ·小结第67-69页
第六章 主要结论第69-71页
参考文献第71-82页
攻读博士期间完成的论文第82-83页
致谢第83页

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