| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 缩略词表（Abbreviations) | 第10-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-23页 |
| 1 多胺与逆境胁迫 | 第11-17页 |
| ·多胺的合成 | 第11-12页 |
| ·多胺的分解 | 第12-13页 |
| ·多胺与逆境应答 | 第13-15页 |
| ·多胺合成路径中基因的研究 | 第15-17页 |
| 2 转录因子与植物抗逆性研究进展 | 第17-21页 |
| ·研究转录因子的方法 | 第17-18页 |
| ·转录因子与逆境胁迫 | 第18-21页 |
| 3 本研究的目的和意义 | 第21-23页 |
| 第二章 枳精氨酸脱羧酶基因PtADC的功能鉴定 | 第23-33页 |
| 1 引言 | 第23页 |
| 2 材料与方法 | 第23-26页 |
| ·材料 | 第23-24页 |
| ·方法 | 第24-26页 |
| 3 结果与分析 | 第26-31页 |
| ·超表达PtADC减少植物内ROS的积累 | 第26-27页 |
| ·脱水条件下超表达株系中产生较少的脂质过氧化作用 | 第27-28页 |
| ·超表达PtADC提高植株含水量 | 第28-29页 |
| ·PtADC促进了植株的根系伸长 | 第29-31页 |
| 4 讨论 | 第31-33页 |
| ·超表达PtADC影响植物体内ROS积累 | 第31页 |
| ·超表达PtADC影响植物根系伸长 | 第31-33页 |
| 第三章 枳脱水cDNA文库构建及酵母单杂交筛选转录因子 | 第33-45页 |
| 1 引言 | 第33页 |
| 2 材料与方法 | 第33-39页 |
| ·材料 | 第33页 |
| ·试剂 | 第33页 |
| ·方法 | 第33-35页 |
| ·构建pBait-AbAi载体 | 第35-39页 |
| 3 结果 | 第39-43页 |
| ·枳脱水处理多胺基因的表达模式及多胺含量 | 第39-40页 |
| ·分析PtADC启动子上可能的顺式作用元件 | 第40页 |
| ·总RNA提取以及mRNA的分离 | 第40-41页 |
| ·cDNA文库的构建 | 第41页 |
| ·Bait筛选AbA浓度 | 第41-42页 |
| ·文库的筛选 | 第42页 |
| ·文库阳性验证 | 第42-43页 |
| 4 讨论 | 第43-45页 |
| 第四章 转录因子(PtABF2,PtNAC72和PtsrMYB)的功能鉴定 | 第45-80页 |
| 1 引言 | 第45页 |
| 2 材料与方法 | 第45-55页 |
| ·材料 | 第45-46页 |
| ·方法 | 第46-55页 |
| 3 结果与分析 | 第55-74页 |
| ·转录因子PtABF2序列和蛋白结构分析 | 第55-57页 |
| ·枳脱水过程中PtABF2基因的表达模式 | 第57页 |
| ·PtABF2组织特异性表达 | 第57-58页 |
| ·PtABF2蛋白的亚细胞定位 | 第58页 |
| ·PtABF2与PtADC启动子互作 | 第58-59页 |
| ·瞬时表达PtABF基因后NtADC基因上调表达 | 第59-60页 |
| ·突变体abf2中多胺水平降低 | 第60页 |
| ·PtNAC72基因克隆与序列分析 | 第60-62页 |
| ·枳脱水过程中PtNAC72的表达模式 | 第62-63页 |
| ·PtNAC72蛋白的亚细胞定位 | 第63-64页 |
| ·PtNAC72与PtADC启动子互作 | 第64-65页 |
| ·PtNAC72基因的原核表达 | 第65页 |
| ·PtNAC72转基因烟草鉴定 | 第65-66页 |
| ·转基因烟草中NtADC基因的表达量下调 | 第66-67页 |
| ·转基因烟草中多胺含量降低 | 第67页 |
| ·突变体nac72中的多胺水平和多胺合成基因转录水平降低 | 第67-68页 |
| ·PtsrMYB是一个典型的R2R3转录因子 | 第68-70页 |
| ·异位表达PtsrMYB提高烟草抗旱能力 | 第70-72页 |
| ·转基因株系中提高了PtADC基因的表达和游离多胺水平 | 第72-73页 |
| ·PtsrMYB与PtADC启动子结合并调控多胺合成路径 | 第73-74页 |
| 4 讨论 | 第74-78页 |
| ·PtABF2与PtADC启动子互作调控多胺合成路径 | 第74-75页 |
| ·PtNAC72调控多胺合成路径 | 第75-76页 |
| ·PtsrMYB转录因子调控多胺合成路径并提高植物抗旱能力 | 第76-78页 |
| 5 小结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-98页 |
| 附录Ⅰ 文章及专利 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
