| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-9页 |
| 2 晶体中的激子理论 | 第9-12页 |
| ·激子的哈密顿量和激子的薛定谔方程 | 第9-10页 |
| ·激子矩阵元 | 第10-12页 |
| 3 简单立方晶体薄膜中的激子方程 | 第12-29页 |
| ·将体材料激子方程化为薄膜材料激子方程 | 第12-15页 |
| ·未受微扰激子方程的求解 | 第15-17页 |
| ·微扰Η_1 ' 对能级的修正 | 第17-18页 |
| ·微扰Η_2 ' 对能级的修正 | 第18-25页 |
| ·结论与讨论 | 第25-29页 |
| 4 单带模型下 ZnO 激子能级 | 第29-37页 |
| ·ZnO 材料的优良性质 | 第29页 |
| ·ZnO 材料的理论和实验研究现状 | 第29-31页 |
| ·ZnO 薄膜激子的有效质量方程 | 第31-32页 |
| ·激子方程的变分计算 | 第32-34页 |
| ·数值计算结果和讨论 | 第34-37页 |
| 5 (k|ˉ)·(p|ˉ)微扰方法下的 ZnO 薄膜价带能谱 | 第37-50页 |
| ·(k|ˉ)·(p|ˉ)法的一般理论 | 第37-38页 |
| ·空穴满足的本征方程 | 第38-42页 |
| ·化块状Hamiltonian 为薄膜的Hamiltonian | 第42页 |
| ·包络波函数理论 | 第42-43页 |
| ·解ZnO 薄膜的包络波函数 | 第43-50页 |
| 6 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·主要结论 | 第50-51页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录 | 第56页 |