| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·SiGe BiCMOS 技术优势 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状和发展动态 | 第11-13页 |
| ·SiGe/Si 异质结材料制备和SiGe BiCMOS 工艺发展 | 第11-12页 |
| ·SiGe HBT 器件发展 | 第12-13页 |
| ·SiGe BiCMOS 集成电路的进展 | 第13页 |
| ·论文内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SiGe/Si 材料特性与HBT 基本原理 | 第15-28页 |
| ·SiGe/Si 材料物理特性 | 第15-21页 |
| ·SiGe 合金的晶格常数与异质结界面的晶格失配 | 第15-16页 |
| ·SiGe 合金禁带宽度 | 第16-17页 |
| ·SiGe 合金的迁移率 | 第17页 |
| ·SiGe/Si 异质结能带研究 | 第17-18页 |
| ·SiGe/Si 薄膜应变弛豫研究 | 第18-21页 |
| ·SiGe HBT 基本原理 | 第21-28页 |
| ·SiGe HBT 直流特性 | 第21-22页 |
| ·SiGe HBT 频率特性研究 | 第22-25页 |
| ·SiGe HBT 异质结势垒效应 | 第25-28页 |
| 第三章 SiGe BiCMOS 工艺流程设计 | 第28-34页 |
| ·SiGe BiCMOS 工艺介绍 | 第28-29页 |
| ·1.5μm SiGe BiCMOS 初始工艺流程确定 | 第29-34页 |
| 第四章 基于SiGe BiCMOS 技术的HBT 设计 | 第34-55页 |
| ·器件结构概述 | 第34-35页 |
| ·器件纵向结构设计 | 第35-47页 |
| ·发射区设计 | 第36-40页 |
| ·基区设计 | 第40-46页 |
| ·集电区设计 | 第46-47页 |
| ·抑制HBE 效应优化设计 | 第47-49页 |
| ·纵向结构参数优化和工艺参数确定 | 第49-52页 |
| ·横向结构参数的选取 | 第52-53页 |
| ·SiGe HBT 器件仿真结果 | 第53-55页 |
| 第五章 SiGe 图形外延试验与测试结果分析 | 第55-64页 |
| ·SiGe 图形外延单项试验 | 第55-60页 |
| ·MBE 设备的基本构造 | 第55-56页 |
| ·试验设计 | 第56页 |
| ·栅氧－沉积多晶－刻蚀 | 第56-57页 |
| ·衬底材料表面化学清洗 | 第57-58页 |
| ·高温热处理（剥离氧化膜） | 第58-59页 |
| ·生长控制 | 第59-60页 |
| ·测试与分析 | 第60-64页 |
| ·表面形貌和粗糙度研究 | 第60-62页 |
| ·位错缺陷研究 | 第62页 |
| ·X 射线双晶衍射测试 | 第62-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68-69页 |
