| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·研究现状 | 第12-19页 |
| ·微波介质陶瓷的研究现状 | 第12-14页 |
| ·波介质陶瓷的主要相结构 | 第14-16页 |
| ·TaN 电阻薄膜的研究现状 | 第16-19页 |
| ·电阻性能指标介绍 | 第19页 |
| ·本文的研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法与过程 | 第21-31页 |
| ·电子薄膜制备方法介绍 | 第21-24页 |
| ·蒸发 | 第21-22页 |
| ·溅射 | 第22-24页 |
| ·电容结构的选择和电极的制备 | 第24-29页 |
| ·电容器结构的选择 | 第24-25页 |
| ·薄膜MIM 电容器结构等效分析 | 第25-27页 |
| ·制备电极 | 第27-29页 |
| ·薄膜检测设备和电性能测试仪器 | 第29-31页 |
| ·薄膜材料测试 | 第29-30页 |
| ·电性能测试 | 第30-31页 |
| 第三章 BNST 薄膜的制备研究 | 第31-49页 |
| ·基片的选择与清洗 | 第31-32页 |
| ·BNST 薄膜制备工艺参数 | 第32-33页 |
| ·制备参数和退火处理对BNST 薄膜表面结构和电性能的影响 | 第33-43页 |
| ·沉积气压对BNST 薄膜表面结构和电性能的影响 | 第33-35页 |
| ·沉积温度对BNST 薄膜表面结构和电性能的影响 | 第35-37页 |
| ·溅射功率的影响 | 第37-38页 |
| ·退火温度对BNST 薄膜介电性能的影响 | 第38-40页 |
| ·退火气氛和退火时间对BNST 薄膜介电性能的影响 | 第40-42页 |
| ·基片对BNST 薄膜介电性能的影响 | 第42-43页 |
| ·BNST 电容器性能测试 | 第43-47页 |
| ·BNST 电容器的C-V 特性 | 第43-45页 |
| ·BNST 薄膜电容器的电容-频率特性 | 第45页 |
| ·BNST 薄膜电容器的介温特性 | 第45-46页 |
| ·BNST 薄膜电容器的漏电流特性和耐压特性 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 BST 薄膜的耐压特性研究 | 第49-60页 |
| ·BST 薄膜电容的制备工艺和击穿理论 | 第49-51页 |
| ·基片和上电极面积与BST 薄膜耐压的关系 | 第51-54页 |
| ·退火温度对BST 薄膜耐压的影响 | 第54-56页 |
| ·膜厚对BST 薄膜介电性能的影响 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 氮化钽电阻薄膜的制备研究 | 第60-72页 |
| ·反应磁控溅射法制备氮化钽薄膜的过程 | 第60-62页 |
| ·反应磁控溅射制备TaN 薄膜的工艺流程 | 第60-61页 |
| ·反应磁控溅射法制备TaN 薄膜原理 | 第61-62页 |
| ·氮化钽电阻薄膜的制备与结果分析 | 第62-71页 |
| ·溅射功率与薄膜生长速度及电阻性能的关系 | 第62-64页 |
| ·溅射温度对氮化钽薄膜方阻及温度系数的影响 | 第64-65页 |
| ·溅射气氛对氮化钽薄膜方阻及温度系数的影响 | 第65-68页 |
| ·退火温度对氮化钽方阻和温度系数的影响 | 第68-70页 |
| ·高稳定TaN 薄膜电阻的优化工艺参数 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |