| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·课题来源 | 第8页 |
| ·研究意义及前景 | 第8-9页 |
| ·国内外发展动态 | 第9-11页 |
| ·本课题的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 SI/SIGE 异质结及应变SI 的相关性质 | 第12-23页 |
| ·SI、GE 体材料的能带结构 | 第12-13页 |
| ·SIGE 合金材料、薄膜的能带结构 | 第13-17页 |
| ·应变SI 的特性 | 第17-23页 |
| 第三章 SIGE HCMOS 优化设计 | 第23-42页 |
| ·SIGE HCMOSFET 概述 | 第23-24页 |
| ·SIGE PMOS 优化设计 | 第24-31页 |
| ·SIGE NMOS 优化设计 | 第31-36页 |
| ·SIGE HCMOS 的优化 | 第36-42页 |
| 第四章SIGE HCMOS 的关键工艺技术 | 第42-63页 |
| ·应变SI/弛豫SIGE 结构的生长 | 第42-46页 |
| ·离子注入工艺技术研究 | 第46-54页 |
| ·低温薄栅介质制备研究 | 第54-58页 |
| ·版图设计与工艺配置 | 第58-59页 |
| ·器件的制备及测试分析 | 第59-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67页 |