| 中文摘要 | 第1页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·论文课题提出的意义 | 第7-10页 |
| ·TCR 型 SVC 的研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文工作介绍 | 第12-13页 |
| 第二章 静止无功补偿器 SVC 的原理 | 第13-30页 |
| ·概述 | 第13页 |
| ·SVC 的分类 | 第13-22页 |
| ·SR（Saturated Reactor 自饱和型电抗器型）型SVC | 第14-16页 |
| ·SR 型静止无功补偿器的组成 | 第14页 |
| ·SR 型SVC 的优缺点 | 第14-15页 |
| ·SR 型SVC 的应用场合 | 第15-16页 |
| ·TCR（Thyristor Controlled Reactor 晶闸管相控电抗器）型 SVC | 第16-18页 |
| ·TCR 型SVC 构成 | 第16-17页 |
| ·TCR 型SVC 的优缺点 | 第17-18页 |
| ·应用场合 | 第18页 |
| ·TSC（Thyristor Switched Capacitor 晶闸管投切电容器）型 SVC | 第18-19页 |
| ·TSC 型SVC 的构成 | 第18页 |
| ·TSC 型SVC 的优缺点 | 第18-19页 |
| ·应用场合 | 第19页 |
| ·TCT（Thyristor Controlled transformer 晶闸管控制高漏抗变压器）型SVC | 第19-22页 |
| ·构成 | 第19-20页 |
| ·优缺点 | 第20-22页 |
| ·SVC 装置的补偿原理 | 第22-25页 |
| ·SVC 的控制 | 第25页 |
| ·谐波分析和抑制 | 第25-30页 |
| ·多脉冲 TCR | 第26-28页 |
| ·6 脉冲TCR | 第26-27页 |
| ·12 脉冲TCR | 第27-28页 |
| ·并联 TCR 的“顺序”控制(Sequentially control parallel- connected TCR) | 第28页 |
| ·并联滤波器 | 第28-30页 |
| 第三章 SVC 控制器设计 | 第30-47页 |
| ·无功电流的检测方法 | 第30-40页 |
| ·无功电流的检测方法比较 | 第30-36页 |
| ·dq 变换法 | 第30-32页 |
| ·pq 分解控制 | 第32-34页 |
| ·两种方法的比较 | 第34-36页 |
| ·无功测量 | 第36-40页 |
| ·控制器设计 | 第40-47页 |
| ·控制器的基本功能和总体结构 | 第40-41页 |
| ·控制功能 | 第40页 |
| ·诊断功能 | 第40页 |
| ·保护功能 | 第40页 |
| ·显示功能 | 第40-41页 |
| ·上位控制器的基本结构和器件选择 | 第41-42页 |
| ·单片机的选择 | 第41-42页 |
| ·ADC 的选择 | 第42页 |
| ·双口RAM 的选择 | 第42页 |
| ·下层控制器的设计 | 第42-47页 |
| ·控制器的性能指标 | 第43页 |
| ·硬件结构 | 第43-47页 |
| 第四章 主电路设计及其仿真 | 第47-55页 |
| ·主电路设计及MATLAB 建模 | 第47-49页 |
| ·新型 SVC 的补偿效果及对谐波的抑制 | 第49-52页 |
| ·可控硅及相关器件选择 | 第52-54页 |
| ·可控硅 | 第52页 |
| ·阻容吸收回路 | 第52-53页 |
| ·散热器 | 第53-54页 |
| ·可控硅过压过流保护 | 第54页 |
| ·费用方案 | 第54-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间发表论文和参加科研情况 | 第61页 |
