| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 引言 | 第8-13页 |
| ·课题研究的背景 | 第8页 |
| ·课题的研究意义 | 第8-9页 |
| ·鲁棒性设计的概念 | 第9页 |
| ·工艺偏差 | 第9-10页 |
| ·工艺角 | 第10-11页 |
| ·温度 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第12页 |
| ·本论文结构安排 | 第12-13页 |
| 2 PVT变化对各器件的影响 | 第13-22页 |
| ·工艺偏差和温度变化对电阻的影响 | 第13-16页 |
| ·工艺变化对电阻的影响 | 第13页 |
| ·温度变化对电阻的影响 | 第13页 |
| ·仿真结果 | 第13-16页 |
| ·工艺偏差和温度变化对MOS管的影响 | 第16-20页 |
| ·工艺偏差对mos管的影响 | 第16-17页 |
| ·温度变化对mos管的影响 | 第17页 |
| ·仿真结果 | 第17-20页 |
| ·工艺偏差和温度变化对晶体管的影响 | 第20-21页 |
| ·工艺偏差对晶体管的影响 | 第20页 |
| ·温度变化对晶体管的影响 | 第20页 |
| ·仿真结果 | 第20-21页 |
| ·总结 | 第21-22页 |
| 3 带隙基准电路的鲁棒性设计 | 第22-38页 |
| ·带隙基准电路的理论分析 | 第22-25页 |
| ·带隙基准电路功能 | 第22-24页 |
| ·带隙基准电路的基本结构 | 第24页 |
| ·国内外研究的现状 | 第24-25页 |
| ·带隙基准电路的鲁棒性研究 | 第25-28页 |
| ·影响带隙基准源参数性能的非理想的因素 | 第25-26页 |
| ·带隙基准电路稳定性改进方法 | 第26页 |
| ·多项式温度补偿电路的设计 | 第26-28页 |
| ·带隙基准源的电路设计 | 第28-34页 |
| ·电路原理图 | 第28-29页 |
| ·电路分析 | 第29-34页 |
| ·带隙基准电路的仿真结果 | 第34-37页 |
| ·温度特性对比 | 第34-35页 |
| ·VCC纹波电压影响 | 第35-37页 |
| ·总结 | 第37-38页 |
| 4 运算放大器鲁棒性设计 | 第38-56页 |
| ·运放的基本特性 | 第38-39页 |
| ·运放闭环稳定性的研究 | 第39-40页 |
| ·射级负反馈结构 | 第40-42页 |
| ·具体电路的设计与分析 | 第42-43页 |
| ·实际线路图原理分析 | 第43-44页 |
| ·运算放大器的仿真结果 | 第44-55页 |
| ·跨导 | 第45-46页 |
| ·电流源/沉 | 第46-47页 |
| ·软启动时间 | 第47-49页 |
| ·输入偏置电流Input bias current | 第49-50页 |
| ·开环带宽 | 第50-51页 |
| ·输入失调电压 | 第51页 |
| ·共模抑制比 | 第51-53页 |
| ·输出高低电平 | 第53-54页 |
| ·VCOMP启动电压 | 第54-55页 |
| ·总结 | 第55-56页 |
| 5 总结与展望 | 第56-57页 |
| ·总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在学研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |