| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| ·课题背景 | 第6-7页 |
| ·功率集成电路发展概况 | 第7-10页 |
| ·功率MOS器件的概况 | 第10-14页 |
| ·功率MOS器件的发展 | 第11-13页 |
| ·功率MOS的优势 | 第13-14页 |
| ·本论文的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 HVIC中高压器件的设计手段 | 第15-24页 |
| ·高压集成电路中的终端技术 | 第15-21页 |
| ·场限环(FLR)技术 | 第15-16页 |
| ·场板及有关技术 | 第16-17页 |
| ·RESURF技术 | 第17-20页 |
| ·VLD技术 | 第20页 |
| ·LDD技术 | 第20-21页 |
| ·REP技术与SIPOS技术 | 第21页 |
| ·横向高压LDMOS器件简介 | 第21-24页 |
| ·Nepi、Wepi以及Nsub的选取 | 第22-23页 |
| ·L_D、L_F对LDMOSFET器件耐压的影响 | 第23-24页 |
| 第三章 半导体器件模拟基础理论及MEDICI工具介绍 | 第24-33页 |
| ·半导体器件模拟基础理论 | 第24-31页 |
| ·器件模拟的基本方程及离散化求解 | 第25-27页 |
| ·器件模拟的边界条件 | 第27-28页 |
| ·器件模拟的物理模型 | 第28-31页 |
| ·MEDICI工具介绍 | 第31-33页 |
| 第四章 基于UBA2014的高压器件设计及模拟 | 第33-52页 |
| ·UBA2014简介 | 第33-35页 |
| ·A MOS高压管分析 | 第35-47页 |
| ·A管的结构分析 | 第35-38页 |
| ·A管的参数设计 | 第38-41页 |
| ·A管的器件模拟及理论分析 | 第41-47页 |
| ·BMOS高压管分析 | 第47-52页 |
| ·B管的结构分析 | 第47-48页 |
| ·B管的器件模拟及理论分析 | 第48-52页 |
| 第五章 基于IR2155的高压器件设计及模拟 | 第52-62页 |
| ·IR2155简介 | 第52-54页 |
| ·器件结构设计 | 第54-55页 |
| ·器件的参数设计 | 第55-56页 |
| ·器件的模拟结果及理论分析 | 第56-62页 |
| ·P阱1结深的影响 | 第56-58页 |
| ·P阱1浓度的变化对击穿电压的影响 | 第58-60页 |
| ·P阱1左端到漏端距离与击穿电压的关系 | 第60-61页 |
| ·Ⅳ特性曲线 | 第61-62页 |
| 第六章 基于TOP223的高压器件设计及模拟 | 第62-67页 |
| ·TOP223简介 | 第62页 |
| ·器件结构分析 | 第62-63页 |
| ·器件参数分析 | 第63-64页 |
| ·器件模拟结果 | 第64-66页 |
| ·器件实际制造参数及测试结果 | 第66-67页 |
| 总结 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 附录 MEDICI仿真程序 | 第78-89页 |