中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-7页 |
图表索引 | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
1.1 常用的几种抛光方法 | 第13-15页 |
1.1.1 传统的研磨及沥青抛光法 | 第13页 |
1.1.2 浸液抛光 | 第13页 |
1.1.3 计算机数控抛光 | 第13页 |
1.1.4 化学抛光法 | 第13-14页 |
1.1.5 离子束抛光法 | 第14页 |
1.1.6 流体抛光法 | 第14-15页 |
1.2 磁流变抛光方法的提出与发展过程 | 第15-20页 |
1.2.1 磁介质辅助光学加工方法 | 第15-18页 |
1.2.1.1 磁性液体抛光 | 第15-16页 |
1.2.1.2 磁场辅助精密抛光 | 第16-17页 |
1.2.1.3 磁力研抛法 | 第17-18页 |
1.2.2 磁流变抛光技术的提出与发展 | 第18-20页 |
1.3 磁流变液研究和应用概述 | 第20-23页 |
1.4 论文研究的意义及立项背景 | 第23-24页 |
1.5 论文的主要内容 | 第24-26页 |
本章小结 | 第26-27页 |
第二章 磁流变抛光中所用磁场的分析 | 第27-44页 |
2.1 磁流变抛光装置 | 第27-28页 |
2.2 磁流变抛光采用的磁路结构 | 第28-30页 |
2.3 磁流变抛光磁场分析 | 第30-35页 |
2.3.1 磁场标量磁位方程的推导 | 第30-34页 |
2.3.2 磁场强度推导 | 第34-35页 |
2.4 磁流变抛光液中磁性微粒所受磁场力的计算 | 第35-37页 |
2.5 磁性微粒受力分析及缎带凸起位置的确定 | 第37-42页 |
2.6 磁流变抛光液所形成缎带凸起 | 第42-43页 |
本章小结 | 第43-44页 |
第三章 磁流变抛光液的研制 | 第44-60页 |
3.1 磁流变液的组成 | 第44-45页 |
3.1.1 磁流变液的磁性微粒 | 第44-45页 |
3.1.2 磁流变液的基载液 | 第45页 |
3.1.3 磁流变液的稳定剂 | 第45页 |
3.2 磁流变液的特性 | 第45-52页 |
3.2.1 磁流变液的初始粘度 | 第46页 |
3.2.2 磁流变液的磁特性 | 第46-47页 |
3.2.3 磁流变液的流变性 | 第47-49页 |
3.2.4 磁流变液的稳定性 | 第49-51页 |
3.2.4.1 磁流变液的凝聚稳定性 | 第49-50页 |
3.2.4.2 磁流变抛光液的沉淀稳定性 | 第50-51页 |
3.2.5 磁流变液与电流变液的比较 | 第51-52页 |
3.2.6 磁流变液与磁性液体(铁磁流体)的比较 | 第52页 |
3.3 磁流变抛光液的研制 | 第52-59页 |
3.3.1 水基磁流变抛光液 | 第54-55页 |
3.3.2 油基磁流变抛光液 | 第55-59页 |
3.3.2.1 油基磁流变抛光液的配制 | 第55-57页 |
3.3.2.2 油基磁流变抛光液的流变性 | 第57-58页 |
3.3.2.3 油基磁流变抛光液的稳定性 | 第58-59页 |
本章小结 | 第59-60页 |
第四章 磁流变抛光机理及数学模型 | 第60-79页 |
4.1 磁流变抛光机理 | 第60-66页 |
4.1.1 磁流变抛光液的场致微观结构 | 第60-62页 |
4.1.2 磁流变抛光机理 | 第62-66页 |
4.1.2.1 Bingham介质与轴承润滑简介 | 第62-64页 |
4.1.2.2 磁流变抛光机理 | 第64-66页 |
4.2 磁流变抛光的数学模型 | 第66-78页 |
4.2.1 Rochester磁流变抛光数学模型 | 第67-69页 |
4.2.2 磁流变抛光数学模型的建立 | 第69-78页 |
4.2.2.1 流体动压力P_d的求解 | 第70-72页 |
4.2.2.2 磁化压力P_M的求解 | 第72-74页 |
4.2.2.3 磁流变抛光凸球面的去除函数 | 第74-75页 |
4.2.2.4 磁流变抛光凸球面的去除函数的实验 | 第75-78页 |
本章小结 | 第78-79页 |
第五章 磁流变抛光实验及规律 | 第79-103页 |
5.1 各种参数对磁流变抛光的影响规律 | 第79-86页 |
5.1.1 抛光时间对磁流变抛光去除函数的影响 | 第79-80页 |
5.1.2 运动盘的转速对磁流变抛光的去除函数的影响 | 第80-81页 |
5.1.3 磁场强度对磁流变抛光的去除函数的影响 | 第81-82页 |
5.1.4 工件与运动盘形成的间隙大小对磁流变抛光的去除率的影响 | 第82-83页 |
5.1.5 工件的硬度对磁流变抛光的去除率的影响 | 第83-84页 |
5.1.6 浓度对磁流变抛光的去除率的影响 | 第84-86页 |
5.1.6.1 稀释磁流变抛光液对去除率的影响 | 第84页 |
5.1.6.2 磁性微粒的浓度对去除率的影响 | 第84-85页 |
5.1.6.3 氧化铈浓度对去除率的影响 | 第85-86页 |
5.2 抛光区的研究 | 第86-92页 |
5.2.1 磁流变抛光的标准抛光区形状 | 第86-88页 |
5.2.2 工件曲率半径对抛光区的影响 | 第88-89页 |
5.2.3 工件浸入磁流变抛光液中的深度对抛光区的影响 | 第89-90页 |
5.2.4 工件轴摆角对抛光区的影响 | 第90-92页 |
5.3 磁流变抛光后光学元件表面粗糙度的研究 | 第92-96页 |
5.3.1 水基磁流变抛光液抛光后工件的表面粗糙度 | 第92-94页 |
5.3.2 油基磁流变抛光液抛光后工件的表面粗糙度 | 第94-96页 |
5.4 磁流变抛光后光学元件下表面破坏层的研究 | 第96-97页 |
5.5 磁流变抛光后光学元件高频表面粗糙度的研究 | 第97-100页 |
5.6 磁流变抛光工件面形的控制 | 第100-101页 |
本章小结 | 第101-103页 |
第六章 结论 | 第103-106页 |
参考文献 | 第106-115页 |
致谢 | 第115-116页 |
作者简介 | 第116页 |
攻读博士学位期间发表论文 | 第116页 |